| 主权项 |
1.一种预录型氧化锌式近场光碟片,其组成结构至少包含:一具有凹坑记录点之透光基板;一第一透光介电质薄膜层;一第二透光介电质薄膜层;一可产生局域近场光学作用之氧化锌奈米薄膜层,披覆于该第一透光介电质薄膜层与该第二透光介电质薄膜层之间;及一反射薄膜层,披覆于该具有凹坑记录点之透光基板与该第一透光介电质薄膜层之间,或该第二透光介电质薄膜层之表面;2.如申请专利范围第1项所述之预录型氧化锌式近场光碟片,其中该具有凹坑记录点之透光基板至少可由二氧化矽(SiO2)玻璃材质,或掺杂不同比例组成之钠(Na)、锂(Li)、钙(Ca)、钾(K)、铝(Al)、锗(Ge)、硼(B)等之二氧化矽(SiO2)玻璃材质所组成。3.如申请专利范围第1项所述之预录型氧化锌式近场光碟片,其中该具有凹坑记录点之透光基板可由透明之聚合物材质如聚碳酸酯(Polycarbonate)或环氧树脂等所组成。4.如申请专利范围第1项所述之预录型氧化锌式近场光碟片,其中该反射薄膜层之材料至少可选自以下材料及其合金所构成组群:金(Au)、银(Ag)、铝(Al)及铜(Cu)等。5.如申请专利范围第1或第4项所述之预录型氧化锌式近场光碟片,其中该反射薄膜层可为多层结构。6.如申请专利范围第1项所述之预录型氧化锌式近场光碟片,其中该第一透光介电质薄膜层与第二透光介电质薄膜层,其组成至少可选自以下材料组群所构成之介电材质:硫化锌-氧化矽(ZnS-SiOx)、氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)。7.如申请专利范围第1或6项所述之预录型氧化锌式近场光碟片,其中该第一透光介电质薄膜层与第二透光介电质薄膜层可为多层结构。8.如申请专利范围第1项或第6项所述之预录型氧化锌式近场光碟片,其中该第一透光介电质薄膜层与该第二透光介电质薄膜层较佳厚度范围为5nm~200nm。9.如申请专利范围第1项所述之预录型氧化锌式近场光碟片,其中该可产生局域近场光学作用之氧化锌奈米薄膜层,其结构为氧化锌化合物或氧化锌与锌之混合材质。10.如申请专利范围第1或9项所述之预录型氧化锌式近场光碟片,其中该可产生局域近场光学作用之氧化锌奈米薄膜层,较佳厚度范围为5nm~100nm。图式简单说明:第一图,系本创作之预录型氧化锌式近场光碟片之结构组成图;第二图,系本创作之预录型氧化锌式近场光学碟片读出记录点时的工作原理示意图;第三图,系本创作之预录型氧化锌式近场光碟片与光碟机读取头配合之实施范例。第四图,系本创作之预录型氧化锌式近场光碟片配合光碟测试机之实际读出记录点的实验结果之一。 |
