| 主权项 |
1.一种光阻组成物,包括一种光活性成分及一种树脂黏结剂,该树脂黏结剂包括一种含有下列重复单元之聚合物:1)具有脂环部分之光酸不稳定酯基,酯基之存在量占聚合物总单元之30至60莫耳%,以及2)基之存在量占聚合物总单元20至50莫耳%,以及聚合物至少实质上不含芳族基。2.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中脂环部分为双环基。3.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中脂环部分为三环基。4.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中脂环部分为单环基。5.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中脂环部分为葑基,金刚烷基,异冰片基,三环癸基或苹基。6.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中脂环部分系经由甲基丙烯酸2-甲基金刚烷酯,丙烯酸2-甲基金刚烷酯,甲基丙烯酸乙基葑醇酯,丙烯酸乙基葑醇酯,甲基丙烯酸8-甲基三环癸酯,或丙烯酸8-甲基三环癸酯反应提供。7.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中基系经由甲基丙烯或丙烯反应提供。8.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中脂环基系对应下列任一结构式:9.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中脂环基具有分子体积至少125立方埃。10.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中聚合物进一步包括一或多个内酯单元。11.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中聚合物进一步包括一或多个选自下列单元所成组群:酸;酐;内酯;或光酸不稳定基其含有一个脂环部分以外之离去基。12.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中带有脂环部分之酯基存在量占聚合物总单元之30至50莫耳%。13.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中基之存在量占聚合物总单元之20至50莫耳%。14.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中基之存在量占聚合物总单元之20至40莫耳%。15.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中聚合物包括下式I单元:其中R为脂环基;R1及R2各自分别为氢或选择性经取代的烷基;a占总聚合物单元之30至60莫耳%,以及b占总聚合物单元之20至50莫耳%。16.如申请专利范围第14项之光阻组成物,其中R为桥接双环基。17.如申请专利范围第14项之光阻组成物,其中R为选择性经取代之乙基葑基,选择性经取代之金刚烷基,选择性经取代之异冰片基,选择性经取代之三环癸基,或选择性经取代之苹基。18.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中聚合物包括下式II单元:其中R为脂环基;R1.R2及R3各自分别为氢或C1-6烷基;Y为氢,选择性经取代的烷基或选择性经取代的烷氧基;a占总聚合物单元之30至60莫耳%,b占总聚合物单元之20至50莫耳%,以及c占总聚合物单元大于0至50莫耳%。19.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中聚合物包括下式III单元:其中R为脂环基;R1.R2.R3及R4各自分别为氢或C1-6烷基;Y为氢,选择性经取代之烷基或选择性经取代之烷氧基;X为内酯或酐基;a占总聚合物单元之30至60莫耳%,b占总聚合物单元之20至50莫耳%,以及c占总聚合物单元之0至49莫耳%;以及d占总聚合物单元之1至50莫耳%。20.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中聚合物包括下式IIIA单元:其中R为脂环基;R1.R2及R4各自分别为氢或C1-6烷基;X为内酯基;a占总聚合物单元之30至60莫耳%,b占总聚合物单元之20至50莫耳%,以及d系大于0。21.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中聚合物完全不含芳族基。22.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中光活性成分为可藉具有波长短于200毫微米辐射活化之光酸生成剂化合物。23.一种形成正性光阻浮凸影像之方法,包括:(a)施用如申请专利范围第1项之光阻组成物涂层于基材上;以及(b)使光阻层曝光及显像而获得浮凸影像。24.如申请专利范围第23项之方法,其中光阻层系以波长短于200毫微米之辐射曝光。25.如申请专利范围第23项之方法,其中光阻层系以具有波长193毫微米之辐射曝光。26.一种制造物件,包括其上涂布有一层如申请专利范围第1项之光阻组成物之微电子晶圆基材。27.一种聚合物,包括下列重复单元:1)具有脂环部分之光酸不稳定酯基,酯基之存在量占聚合物总单元之30至60莫耳%,以及2)基之存在量占聚合物总单元之20至50莫耳%,以及聚合物至少实质上不含芳族基。28.如申请专利范围第27项之聚合物,其中聚合物包括30至60莫耳%带有脂环部分之酯基,20至50莫耳%基,且完全不含芳族基。29.如申请专利范围第27项之聚合物,其中聚合物包括30至50莫耳%带有脂环部分之酯基,20至40莫耳%基,且完全不含芳族基。30.如申请专利范围第27项之聚合物,包括下式I单元:其中R为脂环基;R1及R2各自分别为氢或选择性经取代之烷基;a占总聚合物单元之30至60莫耳%,及b占总聚合单元之20至50莫耳%。31.一种化合物,系选自甲基丙烯酸乙基葑醇酯以及丙烯酸乙基葑醇酯所成组群。 |
