| 发明名称 | 等离子蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及等离子蚀刻方法，其与现有技术相比，能够进一步提高相对于与被蚀刻膜不同的膜的被蚀刻膜的蚀刻选择比。本发明的等离子蚀刻方法，其相对于与被蚀刻膜不同的膜选择地蚀刻所述被蚀刻膜，其特征在于，使用能够生成含有与所述膜的成分同样成分的堆积膜的气体，等离子蚀刻所述被蚀刻膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103779203B | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201310015232.X | 申请日期 | 2013.01.16 |
| 申请人 | 株式会社日立高新技术 | 发明人 | 渡边智行;森本未知数;药师寺守;小野哲郎 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王永红 |
| 主权项 | 等离子蚀刻方法，其相对于氧化硅膜选择地蚀刻氮化硅膜，其特征在于，使用含有碳氟化合物气体、O<sub>2</sub>气体和SiF<sub>4</sub>气体的混合气体或使用含有碳氟化合物气体、CO<sub>2</sub>气体和SiF<sub>4</sub>气体的混合气体，等离子蚀刻所述氮化硅膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||