半导体光源之多波峰萤光无机物

摘要

一种半导体光源之多波峰萤光无机物，用于配合一氮化铟镓异质接面半导体光源，而制成一白光发光装置。萤光无机物不仅含有知之钇铝石榴石成份，更包含了IIA族及IVB族元素，化学式为(MeII1XEuXMeIV)α(Y3mnGdmCenAl5)β0(3+X/2)α+12β，其中X=0.0001~0.6，m=0.001~2， n=0.0001~1，α：β=0.05：0.95~0.95：0.05。此萤光无机物受半导体光源所发出之400~530nm光激发时，可分别发出波长575±10nm之黄橙光与595±10nm、613±10nm和625±10nm之橙红光。此等黄橙光与橙红光与蓝光混合后形成色温为10000°K至2,500°K之累积多光带宽光谱。

主权项

1.一种半导体光源之多波峰萤光无机物,其适用于半导体光源之白光发光装置,该半导体光源可发出波长范围为400-530nm之光,该萤光无机物不仅含有习知之钇铝石榴石成份,更包含了IVB族氧化物,此等氧化物可与IIA族元素如钙(Ca)、锶(Sr)或钡(Ba)等之氧化物结合,并在铕Eu3+)氧化物之活化作用下形成化学式为(MeII1XEuXMeIV)(Y3mnGdmCenAl5)O(3+x/2)+12之萤光材料,其中X=0.0001-0.6,m=0.001-2,n=0.0001-1,:=0.05:0.95-0.95:0.05,如上所述之萤光无机物,可以在半导体光源所发出之波长范围=400-530nm之光照射下而被激发,使得萤光无机物发出主波长为=57510nm之黄橙光,同时发出峰値波长为=59510nm、=61310nm和=62510nm之橙红光,半导体光源所发出之蓝光、萤光无机物之黄橙光与橙红光相叠加后,可混合形成色温为T = 10000K至T = 2,500K之累积多光带宽光谱。2.如申请专利范围第1项之半导体光源之多波峰萤光无机物,其中,该萤光无机物可被半导体光源所发出波长为4623nm之蓝光所激发之(Sr0.98Eu0.02Zr)(Y1.9Gd1.0Ce0.1Al5)O3.01+12萤光无机物,系在该X=0.02,m=1.0,n=0.1的条件下,其平均颗粒尺寸为1.2-1.6m,可形成质量比为0.9-1.2mg/cm3的散射光和发光的均匀涂层,该涂层可将半导体光源所发出之蓝光与该萤光无机物所发出之黄橙光及橙红光混合形成均匀的白光。3.如申请专利范围第1项之半导体光源之多波峰萤光无机物,其中,该萤光无机物可被半导体光源所发出波长范围为4655nm之蓝光所激发之(Ba0.98Eu0.02Hf)(Y1.9Gd1.0Ce0.1Al5)O3.01+12萤光无机物,系在该X=0.02,m=1.0,n=0.1的条件下,当层质量比为0.45mg/cm3时可将初始蓝光均匀散射,该涂层可将半导体光源所发出之蓝光与该萤光无机物所发出之黄橙光及橙红光混合形成均匀的白光。4.如申请专利范围第1项之半导体光源之多波峰萤光无机物,其中,该萤光无机物可被半导体光源所发出波长范围为4663nm之蓝光所激发之(Ba0.98Eu0.02Ti)(Y1.9Gd1.0Ce0.1 Al5)O3.01+12萤光无机物,系在该X=0.02,m=1.0,n=0.1的条件下,在其表面萤光体形成质量比为0.45 mg/cm3之薄涂层,该涂层可将半导体光源所发出之蓝光与该萤光无机物所发出之黄橙光及橙红光混合形成均匀的白光。