| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包含:一在形成有半导体元件之半导体基板上,形成配线之步骤;一在含有上述配线之半导体基板上,形成被动膜之步骤;一在上述被动膜上,作为缓冲被覆膜形成聚醯亚胺膜之步骤;一将上述聚醯亚胺膜图案化之步骤;一将上述经图案化之聚醯亚胺膜作为罩幕,将上述被动膜蚀刻之步骤;一将因蚀刻而在上述聚醯亚胺膜之表面形成的硬化变质层,以灰化处理予以除去之步骤;及一在灰化处理后,将上述聚醯亚胺膜作醯亚胺化而予硬化之步骤。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该聚醯亚胺膜,系由将作为聚醯亚胺之前驱体的聚醯胺酸溶于有机溶媒所成之清漆状物涂布所形成者。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该聚醯亚胺膜,系感光性聚醯亚胺之膜者。4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该灰化处理,系藉酸性电浆进行者。5.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中该灰化处理,系在将聚醯亚胺膜除去0.1m~数m之条件下进行者。6.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该硬化系在300℃~450℃下进行0.1~数小时者。图式简单说明:图1(a)~(f)系本发明实施形态1之制造方法的步骤图。图2(a)~(c)系实施形态1蚀刻处理后之状态及在无灰化处理下硬化时之状态的概略图。图3(a)~(f)系习用半导体装置之制造方法的步骤图。 |
