| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体的制造方法,包括:于一基底上形成多数个堆叠闸极条状物,且各该堆叠闸极条状物从该基底由下而上依序为一底介电层、一电荷储存层、一顶介电层与一控制闸极层;于该些堆叠闸极条状物两侧之该基底中形成多数条源极/汲极区;于该些堆叠闸极条状物之间的该些源极/汲极区上形成多数个介电条状物,其中该些介电条状物垂直于该基底;于该些堆叠闸极条状物与该些介电条状物上形成多数条字元线,且该些字元线系与该些堆叠闸极条状物及该些介电条状物彼此垂直相交;移除未被该些字元线覆盖之该些堆叠闸极条状物,以于裸露之该些介电条状物之间形成多数个开口;于该些开口所裸露之该些介电条状物侧壁以及该些字元线的侧壁上形成多数个间隙壁,其中该些间隙壁与该些介电条状物具有不同之蚀刻选择性;于该基底上形成一介电层,覆盖该些字元线、该些间隙壁与该些介电条状物;以及于相邻二该些字元线之间的该介电层与该些介电条状物中形成多数个接触窗,其中在形成该些接触窗的过程中系以该些间隙壁作为自行对准罩幕,且该些接触窗系与该些源极/汲极区电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中部分的该些接触窗系覆盖住位于该些开口中之该些间隙壁。3.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中在形成该些间隙壁时,位于该些开口中之彼此相对之该二间隙壁系彼此邻接。4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该些间隙壁的材质包括氮化矽、氮氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该些介电条状物的材质包括氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中所形成之该些堆叠闸极条状物上,更包括形成有多数条罩幕层。7.如申请专利范围第6项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该些介电条状物的形成方法包括:于该基底上形成一介电材料层,覆盖该些条状罩幕层与裸露之该基底表面;移除位于该些条状罩幕层上之部分该介电材料层,直到露出部分的该些条状罩幕层,并保留下位于该些堆叠闸极条状物之间的该介电材料层;以及移除该些条状罩幕层。8.如申请专利范围第7项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中形成该介电材料层的方法包括进行高密度电浆化学气相沈积制程。9.如申请专利范围第7项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中移除部分该介电材料层的方法包括使用热磷酸,并且使该些条状罩幕层的顶角暴露出来。10.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该些间隙壁的形成方法包括:于该基底上形成一间隙壁材料层,覆盖该些字元线与该些介电条状物,并且填满该些开口;以及进行一非等向性蚀刻,移除部分该间隙壁材料层。11.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该底介电层为一穿隧层,该电荷储存层为一电荷捕捉层,该顶介电层为一电荷阻挡层。12.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该底介电层为一穿隧层,该电荷储存层为一浮置闸极层,该顶介电层为一闸间介电层。13.一种非挥发性记忆体,包括:多数行源极/汲极区,配置在一基底中;多数行介电条状物,配置在该些源极/汲极区上;多数列字元线,配置于该些介电条状物上,且与该些介电条状物垂直相交;多数个堆叠闸极结构,排成多数列,且每列之该些堆叠闸极结构配置于该些字元线与该基底之间,且位于该些介电条状物之间,而且各该堆叠闸极结构从该基底由下而上依序为一底介电层、一电荷储存层、一顶介电层与一控制闸极层;多数个保护层,配置在相邻二列之该些堆叠闸极结构之间的该基底上,且位于该些介电条状物之间,其中该些保护层具有垂直于该基底之侧壁;一介电层,覆盖该些介电条状物、该些字元线与该些保护层;以及多数个接触窗,配置在相邻二列之该些字元线之间的该介电层与该介电条状物中,且部分覆盖该介电条状物两侧之该些保护层,其中该些接触窗系与该些源极/汲极区电性连接。14.如申请专利范围第13项所述之非挥发性记忆体,其中该些保护层与该些介电条状物具有不同之蚀刻选择性。15.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体,其中该些保护层的材质包括氮化矽、氮氧化矽。16.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体,其中该些介电条状物的材质包括氧化矽。17.如申请专利范围第13项所述之非挥发性记忆体,其中该底介电层为一穿隧层,该电荷储存层为一电荷捕捉层,该顶介电层为一电荷阻挡层。18.如申请专利范围第13项所述之非挥发性记忆体,其中该底介电层为一穿隧层,该电荷储存层为一浮置闸极层,该顶介电层为一闸间介电层。图式简单说明:图1A至图1E绘示为依照本发明之一较佳实施例的一种非挥发性记忆体的制造流程立体示意图。图2A至图2C绘示为依照本发明之一较佳实施例的一种非挥发性记忆体之部分制造流程剖面示意图,其为由图1A之I-I'剖面所得之剖面示意图。图3绘示为由图1D之II-II'剖面所得之剖面示意图。图4绘示为由图1E之III-III'剖面所得之剖面示意图。图5A绘示为Virtual Ground型之非挥发性记忆体的布局示意图。图5B绘示为PACAND型之非挥发性记忆体的布局示意图。图6绘示为依照本发明之另一较佳实施例的一种PACAND型之非挥发性记忆体的立体示意图。 |
