| 主权项 |
1.一种制造非对称记忆胞之方法,该方法包含:构制一底电极,具有一第一区;构制一电脉波改变电阻(EPVR)材料,覆盖底电极;构制一顶电极,覆盖EPVR层,具有较第一区为小之一第二区。2.如申请专利范围第1项所述之方法,另包含:感应一电场于顶电极及底电极之间;及反应该电场,感应电流流过顶电极邻近之EPVR。3.如申请专利范围第2项所述之方法,另包含:反应流过顶电极邻近之EPVR之感应电流,修改顶及底电极间之EPVR之电阻。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,感应顶电极及底电极间之电场包括施加具有幅度在2至5伏范围及持续时间在1毫微秒(ns)至10微秒(s)范围之一负电压脉波于顶及底电极之间;及其中,修改顶及底电极间之EPVR之电阻包括制造一第一高电阻电阻于二电极之间。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中,感应顶电极及底电极间之电场包括施加具有幅度在2至5伏范围及持续时间在1毫微秒(ns)至10微秒(s)范围之一正电压脉波于顶及底电极之间;及其中,修改顶及底电极间之EPVR之电阻包括制造较第一电阻为低之一第二电阻于二电极之间。6.如申请专利范围第1项所述之方法,构制具有较第一区为小之一第二区之一顶电极覆盖EPVR层包括第二区较之第一区至少小20%。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,构制底电极包括自包含Pt,TiN,TaN,TiAlN,TaAlN,Ag,Au,及Ir之群中选出之材料构制底电极;及其中,构制顶电极包括自包含诸如Pt,TiN,TaN,TiAlN,TaAlN,Ag,Au,及Ir之群中选出之材料构制顶电极。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,构制EPVR层包含自大磁电阻(CMR),高温超导(HTSC),及钙钛石金属氧化物材料之群中选出之材料制造EPVR层。9.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,修改顶及底电极间之EPVR反应感应电流流过顶电极邻近之EPVR之电阻包括修改该电阻于100欧姆至10百万欧姆之范围内。10.一种制造非对称记忆胞之方法,该方法包含:构制一底电极,具有一第一区;构制一电脉波改变电阻(EPVR)材料,覆盖底电极;构制一顶电极,覆盖EPVR层,具有一第二区大于第一区。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,构制具有较第一区为大之第二区之顶电极覆盖EPVR层包括第一区较第二区至少小20%。12.一种非对称记忆胞,包含:一底电极,具有一第一区;一电脉波改变电阻(EPVR)材料层,覆盖底电极;及一顶电极,覆盖EPVR层,具有较第一区为小之一第二区。13.如申请专利范围第12项所述之记忆胞,其中,顶电极第二区较底电极第一区至少小20%。14.如申请专利范围第13项所述之记忆胞,其中,底电极为自包含Pt,TiN,TaN,TiAlN,TaAlN,Ag,Au,及Ir之群中选出之材料;及其中,顶电极为自包含Pt,TiN,TaN,TiAlN,TaAlN,Ag,Au,及Ir之群中选出之材料。15.如申请专利范围第13项所述之记忆胞,其中,EPVR层反应施加于顶及底电极间之一第一电压脉波,具有在顶及底电极间所量得之一第一总电阻;及其中,RPVR层反应一第二电压脉波,具有一第二总电阻小于第一电阻。16.如申请专利范围第15项所述之记忆胞,其中,EPVR层之第一电阻在100欧姆至10百万欧姆之间,反应具有负幅度在2至5伏范围及持续时间在1毫微秒(ns)至10微秒(s)范围之第一电压脉波。17.如申请专利范围第16项所述之记忆胞,其中,EPVR层之第二电阻在100欧姆至1k欧姆之间,反应具有正幅度在2至5伏范围及持续时间在1毫微秒(ns)至10微秒(s)范围之第二电压脉波。18.如申请专利范围第12项所述之记忆胞,其中,EPVR层为自包含大磁电阻(CMR),高温超导(HTSC),及钙钛石金属氧化物材料之群中选出之材料。19.一种非对称记忆胞,包含:一底电极,具有一第一区;一电脉波改变电阻(EPVR)材料层,覆盖底电极;及一顶电极,覆盖EPVR层,具有较第一区为大之一第二区。20.如申请专利范围第19项所述之记忆胞,其中,底电极第一区较顶电极第一区至少小20%。图式简单说明:图1A及1B为在规划(图1A)及抹消(图1B)操作之期间中之记忆胞之部份断面图。图2A及2B为记忆胞之部份断面图,在此,记忆电阻器具有圆柱形且埋置于氧化物或任何适当之绝缘体中。图3为本发明之非对称记忆胞之部份断面图。图4A及4B显示本发明记忆胞规划(图4A)及抹消(图4B)操作。图5为流程图,显示用以制造非对称记忆胞之本发明方法。 |
