发明名称 超连接肖特基元件及其制造方法
摘要 一种超连接肖特基元件,包含一背金属层、一第一导电性型态的一半导体基底、位于基底上的超连接胞、位于每一超连接胞上的第一导电性型态之淡掺杂连接阻障肖特基区域以及一前导体层。这种超连接胞包含很多实质垂直延伸的电荷平衡层,以及前导体层被设置成与连接阻障肖特基区域接触,以形成一肖基特接触。
申请公布号 TW200536127 申请公布日期 2005.11.01
申请号 TW093125068 申请日期 2004.08.20
申请人 得诺科技股份有限公司 发明人 左旋
分类号 H01L29/87 主分类号 H01L29/87
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 美国