半导体基底上之金属层与图案用的防腐蚀清洗组成物

摘要

一种用于半导体晶圆制程的防腐蚀清洗组成，包含浓度从大约重量0.5％至大约重量5％范围的过氧化氢，浓度从大约重量1％至大约重量10％范围的硫酸，浓度从大约0.01％至大约重量1％范围的氟化氢；浓度从大约重量0.1％至大约重量5％范围的氮杂茂(azole)以及去离子水。该氮杂茂在一清洗制程期间作用以防止一金属层的腐蚀，该金属层藉由与该金属层的一表面整合而清洗。