| 主权项 |
1.一种半导体缺陷侦测系统,其用以对一半导体元 件执行异常分析,其包括: 一异常测试单元,用以对该半导体元件执行一异常 测试并产生一第一不良位元映像; 一转换单元,用以将一缺陷测试所产生的一冗余资 讯转换为一第二不良位元映像;以及 一比对单元,用以比对该第一不良位元映像与第二 不良位元映像以产生一第三不良位元映像。 2.如申请专利范围第1项所述的半导体缺陷侦测系 统,其中,该第一不良位元映像为一NxN矩阵且包含 复数个不良位元。 3.如申请专利范围第2项所述的半导体缺陷侦测系 统,其中,该第二不良位元映像为一NxN矩阵且包含 复数个不良位元。 4.如申请专利范围第3项所述的半导体缺陷侦测系 统,其中,该第三不良位元映像为一NxN矩阵,且其中 包含的复数个不良位元分别出现于该第一与第二 不良位元映像中对应于XY轴之同一位置。 5.一种半导体缺陷侦测方法,其适用于一半导体制 程之晶圆测试,包括: 执行一缺陷测试并取得一冗余资讯; 执行一异常测试并取得一第一不良位元映像; 将该冗余资讯转换成为一第二不良位元映像;以及 比对该第一不良位元映像与第二不良位元映像以 产生一第三不良位元映像。 6.如申请专利范围第5项所述的半导体缺陷侦测方 法,其中,该第一不良位元映像为一NxN矩阵且包含 复数个不良位元。 7.如申请专利范围第6项所述的半导体缺陷侦测方 法,其中,该第二不良位元映像为一NxN矩阵且包含 复数个不良位元。 8.如申请专利范围第7项所述的半导体缺陷侦测方 法,其中,该第三不良位元映像为一NxN矩阵,且其中 包含的复数个不良位元分别出现于该第一与第二 不良位元映像中对应于XY轴之同一位置。 9.一种半导体制程,其包括一晶圆测试步骤,该晶圆 测试步骤系利用一半导体缺陷侦测方法对一半导 体元件执行异常分析,而该半导体缺陷侦测方法包 括: 执行一缺陷测试并取得其冗余资讯; 执行一异常测试并取得一第一不良位元映像; 将该冗余资讯转换成为一第二不良位元映像;以及 比对该第一不良位元映像与第二不良位元映像以 产生一第三不良位元映像。 10.如申请专利范围第9项所述的半导体制程,其中, 该第一不良位元映像为一NxN矩阵且包含复数个不 良位元。 11.如申请专利范围第10项所述的半导体制程,其中, 该第二不良位元映像为一NxN矩阵且包含复数个不 良位元。 12.如申请专利范围第11项所述的半导体制程,其中, 该第三不良位元映像为一NxN矩阵,且其中包含的复 数个不良位元分别出现于该第一与第二不良位元 映像中对应于XY轴之同一位置。 图式简单说明: 第1图系显示本发明实施例之半导体缺陷侦测系统 的架构示意图。 第2图系显示本发明实施例之FBM测试完所产生的不 良位元映像。 第3图系显示本发明实施例之转换冗余资讯所得的 不良位元映像。 第4图系显示本发明实施例之比对第2图与第3图之 不良位元映像所得的不良位元映像。 第5图系显示本发明实施例之半导体缺陷侦测方法 的步骤流程图。 |
