| 主权项 |
1.一种形成浅沟槽隔离区之方法,包括下列步骤: 形成一垫氧化层于一半导体基底表面; 形成一氮氧化矽层于上述垫氧化层; 依序蚀刻上述氮氧化矽层、上述垫氧化层、和上 述半导体基底以形成一浅沟槽; 在上述浅沟槽的底部和侧壁上形成一内衬氧化层( lining oxide); 沈积一氧化层以填满上述浅沟槽,并覆盖在上述氮 氧化矽层表面上; 利用热处理的步骤调整氮氧化矽化合物之(SiOxNy) 氧原子及氮原子的比例; 以上述氮氧化矽层作为研磨停止层,进行一化学机 械研磨程序,去除位于氮氧化矽层表面之外的氧化 层;及 去除上述氮氧化矽层,完成浅沟槽隔离区的制造。 2.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟槽隔离区 之方法,其中上述氮氧化矽层与氧化层具有高湿蚀 刻选择比。 3.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟槽隔离区 之方法,其中上述氮氧化矽层与上述半导体基底及 氧化层具有不同之光学特性。 4.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟槽隔离区 之方法,其中上述氮氧化矽层在执行化学机械研磨 程序时,具有与上述氧化层约略相等之研磨速度。 5.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟槽隔离区 之方法,其中该热处理步骤是一快速热制程(RTP),或 是一热炉管(Furnace)制程。 6.一种形成浅沟槽隔离区之方法,包括下列步骤: 形成一垫氧化层于一半导体基底表面; 形成一氮氧化矽化合物(SiOxNy)层于上述垫氧化层, 上述氮氧化矽化合物(SiOxNy)层之氮元素以及氧元 素具有一特定比例,使得上述氮氧化矽化合物( SiOxNy)层具有一特定研磨速率; 依序蚀刻上述氮氧化矽化合物(SiOxNy)层、上述垫 氧化层、和上述半导体基底以形成一浅沟槽; 在上述浅沟槽的底部和侧壁上形成一内衬氧化层( lining oxide); 以高密度电浆化学气相沈积具有上述特定研磨速 率之氧化层以填满上述浅沟槽,并覆盖在上述氮氧 化矽化合物(SiOxNy)层表面上; 利用一热处理的步骤调整氮氧化矽化合物之(SiOxNy )氧原子及氧原子的比例; 以上述氮氧化矽化合物(SiOxNy)层作为研磨停止层, 进行一化学机械研磨程序,去除位于氮氧化矽化合 物(SiOxNy)层表面之外的氧化层;及 去除上述氮氧化矽化合物(SiOxNy)层,完成浅沟槽隔 离区的制造。 7.如申请专利范围第6项所述之形成浅沟槽隔离区 之方法,其中上述氮氧化矽化合物(SiOxNy)层与氧化 层具有高湿蚀刻选择比。 8.如申请专利范围第6项所述之形成浅沟槽隔离区 之方法,其中上述氮氧化矽化合物(SiOxNy)层与上述 半导体基底及氧化层具有不同之光学特性。 9.如申请专利范围第6项所述之形成浅沟槽隔离区 之方法,其中该热处理步骤是一快速热制程(RTP),或 是一热炉管(Furnace)制程。 图式简单说明: 第1A~1C图为一系列剖面图,用以说明习知制作浅沟 槽隔离区的流程。 第2A~2C图为一系列剖面图,用以说明根据本发明实 施例所述之制作浅沟槽隔离区的流程。 |
