薄膜电晶体之串联结构及其制作方法

摘要

一种薄膜电晶体之串联结构，N型薄膜电晶体区域与P型薄膜电晶体区域共用一个有效层，且于N型薄膜电晶体与P型薄膜电晶体之N／P接面上制作一个接触洞，则经由接触洞内之导电层的桥接，可使一端N型掺杂区域的导电载子电连接至另一端的P型掺杂区域，且不会通过此N／P接面所形成的空乏区。而且，N型薄膜电晶体区域或P型薄膜电晶体区域系利用闸极绝缘层之暴露于闸极层两侧之遮蔽区域作为离子布植制程的罩幕，则可同时达成轻掺杂汲极区域以及源／汲极区域之制作。