| 发明名称 | 成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜。成膜掩膜的制造方法制造将设有预先决定的规定形状的开口图案(4)的树脂制的薄膜层(1)和设有能够包含上述开口图案(4)的大小的缝隙(7)的磁性金属材料层(2)相层叠的构造的成膜掩膜，上述开口图案(4)通过向薄膜层(1)的与上述缝隙(7)对应的部分从两面侧照射激光使上述薄膜层(2)贯通而形成。 | ||
| 申请公布号 | CN105940138A | 申请公布日期 | 2016.09.14 |
| 申请号 | CN201580006343.1 | 申请日期 | 2015.01.07 |
| 申请人 | 株式会社V技术 | 发明人 | 水村通伸 |
| 分类号 | C23C14/04(2006.01)I;B23K26/38(2014.01)I | 主分类号 | C23C14/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李洋;青炜 |
| 主权项 | 一种成膜掩膜的制造方法，其制造将树脂制的薄膜层和磁性金属材料层相层叠的构造的成膜掩膜，所述薄膜层设有预先决定的规定形状的开口图案，所述磁性金属材料层设有能够包含所述开口图案的大小的缝隙，该成膜掩膜的制造方法的特征在于，所述开口图案通过向薄膜层的与所述缝隙对应的部分从两面侧照射激光使所述薄膜层贯通而形成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||