HIGH RESISTIVITY SOI WAFERS AND A METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

摘要

SOI 구조체의 제조시 이용하기 위한 고 비저항 단결정 반도체 핸들 구조체가 제공된다. 핸들 구조체는 핸들 기판과 매몰 산화물층 사이에 중간 반도체층을 포함한다. 중간 반도체층은 다결정, 비정질, 나노결정, 또는 단결정 구조체를 포함하고, 또한 SiGe, SiC, SiGeSn, SiGeSnC, GeSn, IIIA족-질화물, 반도체 산화물, 및 이들의 임의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료를 포함한다.