| 摘要 |
비휘발성 메모리와 휘발성 메모리 양쪽 모두를 포함하는 프로그램가능 메모리 어레이 회로 아키텍처들을 효율적으로 구현하기 위한 기법들 및 회로가 개시되어 있다. 메모리 회로는 1T 비트셀들의 어레이를 포함하는 안티퓨즈 스킴을 이용하고, 각각의 비트셀은 효과적으로 그 비트셀에 대해 안티퓨즈 요소와 셀렉터 디바이스 양쪽 모두를 제공하는 하나의 게이트 또는 트랜지스터-유사 디바이스를 포함한다. 특히, 비트셀 디바이스는, 하나의 콘택이 스페이서 및 게이트 금속과 함께 커패시터를 형성하고 다른 콘택이 도핑된 확산 영역 및 게이트 금속과 함께 다이오드를 형성하도록 비대칭 트렌치 기반 소스/드레인 콘택들을 갖는다. 커패시터는 비트셀의 안티퓨즈 요소의 역할을 하고, 스페이서를 브레이크다운하는 것에 의해 프로그램될 수 있다. 다이오드는 효과적으로 동일한 비트라인/워드라인을 공유하는 비트셀들로부터의 프로그램 및 판독 방해들을 제거할 수 있는 셀렉터 디바이스의 역할을 하는 쇼트키 접합을 제공한다. |
