| 摘要 |
전하트랩 메모리소자를 포함하는 임베디드 전자장치의 제조방법은, 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 기판 위에 터널절연층, 전하트랩층, 및 희생절연층을 형성하는 단계와, 제2 영역의 터널절연층, 전하트랩층, 및 희생절연층을 제거하는 단계와, 제2 영역의 기판 상부영역에 선택적으로 웰영역을 형성하는 단계와, 제1 영역의 희생절연층을 제거하여 전하트랩층의 상부면을 노출시키는 단계와, 그리고 제1 영역의 전하트랩층의 노출면 및 제2 영역의 기판 위에 각각 차단절연층 및 게이트절연층을 형성하는 단계를 포함한다. |
