| 摘要 |
<p>Un dispositivo semiconductor para generar un flujo de electrones, que comprende un cátodo que tiene un cuerpo semiconductor que comprende una unión p- n cuya zona de empobrecimiento está junco a una superficie del cuerpo semiconductor, en la cual, aplicando una tensión de sentido inverso a través de la unión p-n, se generan electrones en el cuerpo semiconductor por multiplicación de avalancha y emergen del cuerpo semiconductor, caracterizado porque la superficie tiene una capa eléctricamente aislante en la que está dispuesta al menos una abertura en la que, al menos en el estado de funcionamiento, al menos una parte de la capa de empobrecimiento asociada con la unión p-n está junto a la superficie y porque está dispuesto al menos un electrodo de aceleración en la capa eléctricamente aislante, en el borde de la abertura en la inmediata proximidad de la parte adyacente a la superficie de la capa de empobrecimiento.</p> |
