METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

摘要

본 발명은 반도체 장치의 특성의 편차를 억제한다. 철 구조 상에 연마가 수행된 제1 실리콘 함유층을 포함하는 기판의 상기 제1 실리콘 함유층의 막 두께 분포 데이터를 수신하는 공정; 막 두께 분포 데이터에 기초하여 기판의 중앙면측의 막 두께와 외주면측의 막 두께의 차이를 작게 하는 처리 데이터를 연산하는 공정; 기판을 처리실에 반입하는 공정; 기판에 처리 가스를 공급하는 공정; 및 처리 데이터에 기초하여 기판 상에 소정의 자력의 자계를 형성하여 처리 가스를 활성화시켜서 상기 제1 실리콘 함유층의 막 두께 분포를 보정하는 공정;을 포함한다.