| 发明名称 | 气相生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够抑制在硅基板上形成氮化镓时产生裂纹的气相生长方法。实施方式的气相生长方法为，在硅基板上形成单晶的氮化铝膜，在氮化铝膜上形成单晶的氮化铝镓膜，在氮化铝镓膜上形成单晶的第一氮化镓膜，以高于第一氮化镓膜的形成工序的温度以及生长速度，在第一氮化镓膜上形成第二氮化镓膜。 | ||
| 申请公布号 | CN106057658A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610218148.1 | 申请日期 | 2016.04.08 |
| 申请人 | 纽富来科技股份有限公司 | 发明人 | 高桥英志;佐藤裕辅 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 姜虎;陈英俊 |
| 主权项 | 一种气相生长方法，其特征在于，在硅基板上形成单晶的氮化铝膜，在所述氮化铝膜上形成单晶的氮化铝镓膜，在所述氮化铝镓膜上形成单晶的第一氮化镓膜，以高于所述第一氮化镓膜的形成工序的温度以及生长速度，在所述第一氮化镓膜上形成单晶的第二氮化镓膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||