| 主权项 |
1.一种抑制有机物料之氧化降解作用的方法,以包括对于该有机物料100% (重量)中,掺入0.001.0.00%(重量)的一种具有通式为R1COOANHM之化合物为特征者;该式中,A系C2-C12之亚烃基、C4-D8之环亚烃基或-CH,二etCHR)。,其中之p系3至6之指数,或A系﹒C,-C。之亚烃基取代以-个或两个-CH2-OCO(CH2)mR3基,其中之R3系3-W-5-Y-4-羟苯基,而W与Y可为相同或不相同之C1-Cm烷基,而m 系O,1或2;R,系-(CH2)mR3,其中之m与R3系如上所定义者;而M系氢或-COR2,其中之 R2系C1-C20之烷基,C6-C12之芳基或苯基取代以卤素、C6-C12之烷基, C1-C12之烷氧基、硝基或羟基、或R2系-BCON-HAOCOR1,其中之A与R1系如上所定义者,而B系单键、C、-C、。之亚烃基、次苯基、C。-C,,之氧二亚烃基、或C。-C,,之硫二亚烃基,或R2与R1相同且如上所定义者。2.如请求专利部份第1.项所记载之方法,其式中之A系C2NC。之亚烃基,还己烯基或C2NC。之亚烃基取代以-个或两个-CH,OCO(eH,)mR3基,R,系-(eH,)mR3其中之m系2,W系第三丁基,Y系甲基或第三丁基,R2系CI-C1s之烷基,苯基或苯基取代以 C.-C。之烷基,或羟基或R3系-BCONHAOCOR',其中之A与R,系如上所定义堵,而B为-单键,C1^-C,之亚烃某,次苯某,C。硫二亚烃基,或R3与R1相同且如上所定义者。3.如请求专利部份第2.项所记载之方法,共式tt1B系如请求专利部份第2.项所定义者,唯B可为单键,此时之A为 C2NC。之亚烃基取代以-个或两个-CHtOCO(CH2)mR3基,其中之m与R3系如请求专利部份第2.项所定义者。4.如请求专利部份第1.项所记载之方法,其式中之B系如请求专利部份第1.项所定义者,唯B可为单键,此时之A系 C2-C。亚烃基取代以-个或两个-CHAO-CO(CH2)mR3基,式中之m与R3系如请求专利部份第1.项所定义者。5.如前述请求专利部份任意-项所记载之方法,其中之M系-CORA者。6.一种通式为 R1COOANHCOR2之化合物的制备法,通式中,A系C2/VCm之亚烃基C。-C,之环亚烃基或-CHAC(CHA)。-,其中之p系3至6之指数,或A系 C」-C。之亚烃基取代以-个或两个-CH」OCO(eH2)mR3基,其中之m为O、1或2,而R3系3-W-5-Y-4-烃苯基,其中之W与Y可为相同或不同之C1NC151之烷基;R1系-(eH2),R3,其中之m与R3系如上所定义者,而R2系CINC2O之烷基、Cj-C。之环烷基、Cm-C1O之芳基、苯基取代以卤素、C、-Cm之烷基;C1-C,,之烷氧基,硝基或羟基,或R1与Rm同为-(eH,)mR3,其中之Ⅲ与R3系如上所定义者,或R2为BCONHAOCOR、其中A与R1系如上所定义者,而B系单键、C、-C、。之亚烃基、 C。-C,之环亚烃基、次苯基、C4NCm之氧二亚烃基或 CqNCm之硫二亚烃基者;上述制备法系包括令通式为R'COOANH,之化合物与通式为R℃OX或B(COX),之化合物起反应,士式中,A,R1与B系如上所定义者,X系卤素、羟基或C1-C。之烷氧基,R1系-(eH,)mRm,其中之m与R3系如上所定义者,C1NCYI)之烷基、C、-C,之环烷基C。-Cm之芳基或苯基取代以卤素、C、-Cm烷基,C、-C12烷氧基、硝基、或羟基,而上述反应系于15-250℃之温度及100-10,000PA之压力下进行,但X为卤素时,于反应中应加入-D酸接收剂者。7.一种通式为R1COOANHCOR,之化合物的制备法,式中,A系C2-C5之亚烃基,C,NCg之亚烃基取代以-个或两个- CH,OCO(CH2)mR3,其中之R3系3-W-5-Y-4-羟苯基,而其中之W与Y可为相同或不同之C1-Cm烷基,I11为O、1或2,或A系C4NC,之环亚烃基或-CH,C-(eH,)。＿,其中之p系3-6之指数;R1系-(CH2)m3R3而R30系C1-C20之烷基、Cm-Cm之芳基,或苯基取代以卤素,C1-C12之烷基,C1-C12之烷氧基、硝基、或羟基者,或R2为BCONHAOCOR1其中之A与R1系如上所定义堵,而B系-单键、C,TV(=m之亚烃基、次苯基、C,-Cm之氧代二11'烃基、或 C。-Cm之硫二亚m基甫it甫- ;上述制备法系包括令R℃-NH-Q-tOH)。或B＿CCNH-Q- tOH),Jm之化合物与通式为 R1COX之化合物起反应,式中之Q系C2NCm之亚烃基,C。-C1之环亚烃基或-CH,-(R:H)。-,而S系1至3之指数,B,R1,X与p系如上所定义者,R1系-(eH,)。-R3,其中之m与R3系如上所定义者,为C、-C10之烷基,C。-C。之芳基或苯基取代以卤素,C、-Cm之烷基,C、-Cm之烷氧基,硝基或羟基,上述反应系于15-250。C之温度及100-10,O0@PA之压力下进行,但X为卤素时,反应中应加入-酸接收剂者。8.如请求专利部份第6.项所述之制备法,其中之X系卤素,而反应系于15-100℃温度及惰性溶剂中有酸之清除剂存在下进行,该酸清除剂系选自包括:硷金属氢氧化物、硷土氢氧化物、硷金属碳酸盐、硷金属碳酸氢盐、三烷基胺,其中各烷基系相同或不同而含有1-12个碳原子,及工烷基芳基胺,其中各烷基系相同或不同而含有工-10个碳原子以及 啶之类者。9.如请求专利部份第8.项所述之制备法,其中之R,系- (eHg)mR,,R,与R4系C、-C10之烷基,而X系卤素者。10.如请求专利部份第9.项所述之制备法,其中之m系2'R3系3,5-二第三丁基-4-羟苯基,而A系C2NCm亚烃基者。11.如请求专利部份第9.项所述之制备法,其中之A系CO-C。之亚烃基取代以-个或两个-CH2OCO-(eH2)mR,基,式中之m系2,而R3系3,5-二第三丁基-4-羟苯基者。12.如讲求专利部份第8.项所述之制备法,其中之R,系-(eH2)mR,,R2系BCONHA-OCOR,,而X系卤素者。13.如请求专利部份第12.项所述之制备法,其中之R,系BCONHAOCOR、 R,系3,5-第三丁基-4-羟苯基,m系2 而A系C、-C。之亚烃基取代以-个或两个-CH,OCO(CHm)。R,基者。14.如请求专利部份第12.项所述之制备法,其中之R,系BCONHAOCOR',R,系3,5-二第三丁基-4-羟苯基,m系2,A系C1-C10之亚烃基者。15.如请求专利部份第6.项所述之制备法,其中之R、系-(eH,)mR,,R2与R1系C1-C10之烷基,X系C、-C1之烷氧化物,而让制备法之反应系于30-150℃温度下,在惰性溶剂中进行者。16.如请求专利部份第15.项所述之制备法,其中之m系2'R3系3-5-二第三丁基-4-羟苯基,而A系C2mC、,之亚烃基者。17.如请求专利部份第15.项所述之制佣法,其中之A系 C1-C12之亚烃基取代以-个或两个-CH,-OCO(CHN)mR,基,m系2,而Rm系3,5-二第三丁基-4-羟苯基者18.如请求专利部份第6.项所述之制备法,其中之又2系BCONHAOCOR、,R、系＿(eHp)。R3JX系C1-Cm烷氧化物,而该制备法之反应系于20-150℃之温度下,在惰性溶剂中进行者。19.如请求专利部份第18.项所述之制备法,其中之R3系3,5-二第三丁基-4-羟苯基,m系2,而A系C2NC。之亚烃基取代以-个或两个-CH,-OCO(C5。)mR,基者。19.如请求专利部份第18.项所述之制备法,其中之R3系3,5-二第三丁基-4-羟苯基,m系2,而A系C2-C12之亚烃基者。21.如请求专利部份第7.项所述之制备法,其中之X系卤素,而让制备法之反应系于15-100℃之温度下,在惰性溶剂中有酸清除剂存在下进行,而让酸清除剂系选自包括:硷金属氢氧化合物,硷土氢氧化物,硷金属碳酸盐,硷金属碳酸氢盐,三烷基胺,其中之各烷基系相同或不同,且含有1-12个碳原子,及工烷基芳基胺,其中之各烷基系相同或不同 且含有1-10个碳原子,而芳基系含有6-10个碳原子以及 啶之类者。22.如请求专利部份第21.项所述之制备法,其中之RA2R4系C1-C10之烷基,而X系卤素者。23.如请求专利部份第22.项所述之制备法,其中之m系2,R3系3,5-二第三丁基-4-羟苯基,而A系C2-C12.之亚烃基者。24.如请求专利部份第22.项所述之制备法,其中之A系C2-C10之亚烃基取代以-个或两个-CHe-OCO(CH2)mR3基,m系2,而R3系3,5-二第三丁基-4-羟苯基者25.如请求专利部份第刀项所述之制备法,其中之R1系-(CH,),R1,R1系BCONH＿AOCOR1而X系卤素者。26.如请求专利部份第25.项所述之制备法,其中之R1系BCONHAOCOR1 R3系3,5-二第三丁基-4-羟苯基,m系2,而A系C2/VC。之亚烃基取代以-个或两个-CH,OCO(CH,)mR3基者。27.如请求专利部份第25.项所述之制备法,其中之R2系BCONHAOCOR1,R1系3,5-二第三丁基-4-羟苯基,m系2,而A系C1-Cm之亚烃基者。28.如请求专利部份第7.项所述之制备法,其中之R1系-(CH2)m3R3,R2系C1-C20之烷基,X系C1-C12之烷氧化物,而该制备法之反应系在30-150℃之温度下于惰性溶剂中进行者。29.如请求专利部份第28.项所述之制备法,其中之m系2,R3系3,5-二第三丁基-4-羟苯基,而A系C1-C12之亚烃基者。30.如请求专利部份第28.项所述之制备法,其中之A系C2-C5之亚烃基取代以-个或两个-CH,-OCO(CH2)mR3基,m系2,而R3系3,5-二第三丁基-4-羟苯基者31.如请求专利部份第7.项所述之制备法,其中之R1系BCONHAOCOR1,X系C1-C3烷氧化物,而让制备法之反应系于20-150℃之温度下,在惰性溶剂中进行者。32.如请求专利部份第打项所述之制备法,其中之R3系3,5-二第三丁基-4-羟苯基,m系2,而A系C、-C。之亚烃基取代以-个或二个-CH,-OCO(CH,)mR3基者。33.如请求专利部份第扣项所述之制备法,其中之R3系3,5-二第三丁基-4-羟苯基,m系2,而A系C2'VC12之亚烃基者。34.如请求专利部份第6或7.项所述之制备法,其反应系进行2-40小时之久者。35.如请求专利部份第13,14,19,20,26,32及33.项中任一项所述之制备法,其中之B系单键者。 |
