| 主权项 |
1﹒制造具下列构造式之芳基烷基甲酮之98%或更多纯E异构物之方法。式中Ar为苯基;在2─至6─位置1─5个下列基取代之苯基;卤基(Cl,Br,F,I) ,C1一C4烷基,C1一C4烷氧基,C1一C4烷硫基,次甲二氧基,次乙二氧基,次异丙二氧基,三氟甲基,C1一C4卤烷基,C1一C4烷硫基烷基,C2一C4烯基,C2一C4烯基,C2一C4炔基,氰基,C2一C4氰基烷基,C2一C4羰烷氧基,C1一C4烷磺醯基,C2一C8烷氧基烷基,C2一C4卤烯基,或C1一C4醯基;满基;基;苯并喃基;苯并二氢喃基;苯并嗯基;嗯基;R为C2一C6烷基,C3一C6环烷基,或C2一C6烯基,其任一个均可被卤基,羟基,C1一C4烷氧基,C1一C4烷磺醯基,氰硝基,C2一C4羰烷氧基,或C1一C4醯基所取代,本方法包括在一20℃和150℃间,使芳基烷基甲酮之混合的E和Z异构物在无水有机溶剂中之溶液与至少化学计算量之无水质子或路易士酸接触,于是沉淀出芳基烷基甲酮之亚铵络合物之E异构物,分离沉淀物,用过量之烯含水Na2CO3或NaHCO3中和沉淀物,并分离E异构物。2﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,在其中溶剂为无水二乙醚,温度为10和40℃之间,及质子酸为无水HCl。3﹒根据上述请求专利部份第1或第2项之方法,在其中Ar为对一氯苯基,及R为异丙基。4﹒根据上述请求专利部份第1或第2项之方法,在其中Ar为对一溴苯基,及R为异丙基。5﹒根据上述请求专利部份第1或第2项之方法,在其中在Ar为3一甲基一4一乙氧基苯基,及R为异丙基。6﹒根据上述请求专利部份第1或第2项之方法,在其中Ar为3,4一满基,及R为异丙基。7﹒根据上述请求专利部份第1或第2项之方法,在其中Ar为对一氯苯基,及R为环丙基。 |
