| 发明名称 | 一种增强光取出效率的LED芯片结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构，包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接。本发明大大增加了LED芯片侧向光的正向取出效率，增加了LED芯片的正向光强度。 | ||
| 申请公布号 | CN106129219A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610557364.9 | 申请日期 | 2016.07.15 |
| 申请人 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 发明人 | 邬新根;张永;陈凯轩;李俊贤;吴奇隆;李小平;陈亮;刘英策;魏振东;周弘毅;黄新茂;蔡立鹤 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人 | 王园建 |
| 主权项 | 一种增强光取出效率的LED芯片结构，其特征在于：包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接。 | ||
| 地址 | 361000 福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号 | ||