发明名称 聚乙烯之制法
摘要
申请公布号 TW051412 申请公布日期 1983.07.01
申请号 TW07112546 申请日期 1982.08.03
申请人 日产化学工业股份有限公司 发明人 川原正雄;佐藤晖美;岩 武;神山荣
分类号 C08F4/614;C08F4/615;C08F4/616 主分类号 C08F4/614
代理机构 代理人 郑自添 台北巿敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种聚乙烯之制法,其特征为用接触 下列[Ⅰ]-[Ⅲ]。 [Ⅰ]将氢聚矽氧烷与格任亚试剂反 应所得之中间反应生成物[A ]与选自醛,酮及醇之至少一 种亲核试剂反应而生成之反应 生成物[B] [Ⅱ]过渡金属化合物 [Ⅲ]至少一种有机铝化合物 所得之触媒来使乙烯或乙烯与其他 -烯烃聚合或共聚合。2.依请求专利部份第1.项之 制法,其特 征为氢聚矽氧烷乃具有如下式构造单 位之链状或环状化合物 (R1为C1-6烃基,a为O,l或 2,b为l,2或3,而a+b≦3 )。3.依请求专利部份第1.项之制法,其特 征为格任亚试剂乃呈式(MgR22)P .(MgR2X)q之有机镁化合物,式 中R2为C1-12烃基,X为卤素, p及q各为0-1之数,但p+q= 1。4.依请求专利部份第1.项之制法,其特 征为观核试剂为呈式R3COR4(R3 及R4可相同或相异而各为氢或 C1-12烃基)之醛或酮,或呈式R6 OH(R6为C1-18烃基)之醇。5.依请求专利部份第1.项之 制法,其特 征为过渡金属化合物乃呈式Ti(OR Ti(OR7)nX4-n(R7为C1-6烃 基,X为卤素,而O≦n≦4)或式 TiX3(X为卤素),或上述TiX3 与亲核试剂之错合物之钦化合物,或 呈式VOX3(X为卤素),或VX4 (X为卤素)之钒化合物。6.依请求专利部份第1.项之 制法,其特 征为右机铝化合物乃呈式AeRm10X3-m (R10为C1-8烃基,X为氢或卤素 ,O<m≦3)之化合物。7.依请求专利部份第l一3.项之 制法, 其特征为氢聚矽氧烷与格任亚试剂之 反应中,两者之化学计算量比在 mgR2:Si之莫耳比为l:1-5 之范圈内。8.依请求专利部份第1-4.项之制法, 其特征为当由中间反应生成物[A] 与亲核试剂合成反应生成物[B]时 ,亲核试剂之添加量对中间反应生成 物[A]中之Si-H基J莫耳添加 1.0莫耳以下,而对反应生成物[A ]中之镁l莫耳添加O.5莫耳以上之 范围。9.依请求专利部份第1.项之制法,其特 征为以[Ⅰ],[Ⅱ]及[Ⅲ]常做 触媒时,其接触方法系将各成分个别 供给至聚合系而在聚合器内接触。10.依请求专利 部份第1.项之制法,其特 征为以[Ⅰ],[Ⅱ]及[Ⅲ]当做 触媒时,其接触方法乃将[Ⅰ]与[ ]预先混合而反应外,供给至聚合 系,另将[Ⅲ]以另途供给至聚合系 。11.依请求专利部份第1.项之制法,其特 征为以[Ⅰ][Ⅱ]及[Ⅲ]当做 触媒时,其接触方法乃将[Ⅰ],[ Ⅱ]及[Ⅲ]之,一种或所量之一部分 预先混合反应后,供给至聚合系,而 将[Ⅲ]之残余部分以另途供给至聚 合系。 依请求专利部份第1.项及第9.-11.项 之制法,其特征为作为[Ⅰ],[Ⅱ ]及[Ⅲ]接触时之最终连成之聚合 器内之化学计算量比,对每莫耳[Ⅰ ]之镁,[Ⅱ]为o.ol-o.5莫耳 ,且[Ⅱ]与[Ⅲ]之比按Ae/( Ti+V)莫耳比满足l0-500之 范圈者。 13.依请求专利部份第1.项之制法,其特 征为与乙烯共聚合之其他-烯烃乃 选自丙烯,丁炳-l,己烯-1,4 -甲基戊烯-l,辛烯-l及癸烯- 1之一种或二种以上。 14.依请求专利部份第1.项之制法,其特 征为聚合或共聚合乃在脂族烃或脂环 状烃溶剂中,于温度30-300℃, 而压力常压-250kg/cm2之范圈 内进行。
地址 日本国东京都千代田区神田锦町3丁目7番地1号