| 主权项 |
1﹒一种用来架置一晶片之晶片承载件包括:一个第一金属或金属基底合金元件,在其第一表面上具有一个第一薄耐火氧化物层;一个金属电路和结合至所述氧化物层之晶片做导电连接且藉着所述的耐火氧化物层和所述的金属或金属基底合金绝缘;密封装置用来将所述的晶片密封于所述的晶片承载件中。2﹒如请求专利部份第1项的晶片承载件,其中所述的金属电路乃一第二金属或金属底合金元件,在它至少的一个表面上具有一第二薄耐火氧化物层以结合至所述第一金属或金属基底合金元件的所述第一氧化物层上。3﹒如请求专利部份第1或2项的晶片承载件,其中所述的金属或金属基底合金包括铜或一铜基底合金。4﹒如请求专利部份第3项的晶片承载件,其中所述的铜基底合金元件包括有2一12%的铝而其余的成份则为铜。5﹒如请求专利部份第4项的晶片承载件,其中所述的铜基底合金元件包括有2一10%的铝,0,001-3%的矽而其余的成份则为铜。6﹒如请求专利部份第5项的晶片承载件'﹒,其中所述的铜基底合金基本上包括2﹒5一3﹒1%的铝,1﹒5一2﹒1%的'矽而其余的成份则为铜。7﹒如请求专利部份第3项的晶片承载件,其中所述的耐火氧化物层包含有Al103。8﹒如请求专利部份第2项的晶片承载件更进一步包括:一玻璃元件被结合至所述的第一和第二耐火氧化物层以将所述的金属电路和所述的金属或金属基底合金元件绝缘。9﹒如请求专利部份第3项的晶片承载件更进一步包括:上第三铜或铜基底合金基质被结合至和所述第一表面相对:之第一铜或铜基底合金元件之所述第二表面上以提高所述第一元件的导热性。10﹒如请求专利部份第1项的晶片承载件,其中所述的第一金局或金巧合金元件和第一薄耐火氧化物层具有一个形成于其中的凹处以容纳所述的晶片。11﹒如请求专利部份第8项的晶片承载件,其中所述的第一金属或金日合金元件和第一薄耐火氧化物层具有一形成于其中的凹处以容纳所述的晶片。12﹒如请求专利部份第9或11﹒项的晶片承载件,其中所述的密封装置包括:环氧基树脂材料以将所述的晶片密封于所述的凹处中。13﹒如请求专利部份第10﹒项的晶片承载件,其中所述的密封装置包括:一个第三铜或铜基底合金盖元件,,此盖元件至少在其端缘周围具有一第三薄耐火氧化物层;一装置用来将第三耐火氧化物属结合至所述的金属电路图案及所述的第一和第二薄耐火氧化物层上;藉而所述的晶片则气密式地密封于所述的晶片承载件中。14﹒如请求专利部份第11项的晶片承载件,其中所述的密封装且包括:一个第二铜或铜基底合金盖元件,此盖元件至少在其端缘的周围具有一个第三薄耐火氧化物层;一个第二玻璃元件将所述盖元件的第三耐火氧化物层结合至第一和第二薄耐火氧化物居上;藉而所述的晶片乃气密式的密封于所述的凹处中。15﹒将晶片承载件组合以架置一晶片的方法包括下述步骤:提供一个在其中具有一凹处之第一金属或金属基底合金元件;提供一个第一耐火氧化物层至所述第一元件的至少一个表面上;将一个金属电路形成于所述的氧化物居上以藉着所述的耐火氧化物层而和所述的金属或金属基底元件绝缘将晶片结合至所述第一元件的凹处中;将引自所述晶片附着至所述金属电路上;和将所述晶片密封于所述晶片承载件中。16﹒如请求专利部份第15﹒项的方法,其中形成一金属电路的步骤包括:提供一具有第二薄耐火氧化物层之第二金属或金属基底合金元件于其中的至少一个表面中。17﹒如请求专利部份第16﹒项的方法还包括下述步骤:将一个玻璃元件结合至所述第一和第二耐火氧化物层上以将所述金属电路图案和所述金局或金属基底合金元件绝缘。18﹒如请求专利部份第17,项的方法,其中所述密封晶片的步骤包括将所述凹处填以还氧基树脂材料,藉而将所述晶片密封于所述晶片承载件中。19﹒如请求专利部份第17﹒项的方法,其中所述密封晶片的步骤包括提供一个在至少其边缘之周围具有一第三耐火氧化物层之第三金属或金属基底合金盖元件,且将一个第二玻璃元件结合至所述盖元件之第三耐火氧化物层上以将所述晶片气密式地密封于所述晶片承载件中。20﹒如请求专利部份第16﹒项或19﹒项的方法,其中所述的第一,第二和第三金属或金屠合金包括铜或铜合金。21﹒一个电路板构造包括:─具有一个第一热膨胀系数之电路板装置;具有和所述第一热膨胀系数大致上有相同値之第二热膨胀系数之晶片承载件装置;所述的晶片承载件装置在其上具有被结合至所述电路板装置的导电引;藉而所述结构的热循环并不含在所述的电路板装宣和晶片承载件装置之结合间产生大的应力。22﹒如请求专利部份第21﹒项的电路板构造,其中所述的晶片承载件装置包括:一个第一金属或金属基底合金元件包含在其第一表面上的一个第一耐火氧化物属;一个金属电路用来做为被结合至所述氧化物层上之所述晶片的导电连接且藉着所述的耐火氧化物层和所述金属基底合金绝缘;和密封装置将所述晶片密封于所述晶片承载件中。23﹒如请求专利部份第22项的电路板构造,其中所述的金属电路图案乃一个第二金属或金属基底合金元件,该元件在至少一个表面上具有一个第二薄耐火氧化物层以结合至所述第一金属或金属基底合金元件之所述第一氧化物层上。24﹒如请求专利部份第23项的电路板构造,其中所述的金属或金属基底合金包括铜或一个铜基底合金。25﹒如请求专利部份第23项的电路板构造,其中一个玻璃元件被结合至所述第一及第二吧火氧化物层上以将所述金属电路和所述金属哉金属基底合金元件绝缘。26﹒如请求专利部份第24项的电路板构造、其中一个第三铜或铜基合金基质被结合至一个和所述第一表面相对的所述第一铜或铜基底合金元件之第二表面上以改善所述第一元件的导热性。27﹒如请求专利部份第22项的电路板构造;其中所述的第一金属或金属合金元件及第一薄耐火氧化物层具有一形成于其中的凹处以容纳所述晶片。28﹒如请求专利部份第25﹒项的电路板构造,其中所述的第二金属或金属合金元件及第一薄耐火氧化物层具有一形成﹒于其中的凹处似容纳所述晶片。29﹒如请求专利部份第27及28项的电路板构造,其中所述的密封装置包括:环氧基树脂材料以将晶片密封于所述凹处中。30﹒如请求专利部份第27项的电路板构造,其中所述的密封装置包括:一个第三铜或铜基底合金盖元件在至少在其边缘的周围具有一个第三薄耐火氧化物层;一装置用来将第三耐火氧化物层结合至所述金属电路及所述第一及第二薄耐火氧化物层上,藉而所述晶片则被气密式地密封于所述凹处中。31﹒如请求专利部份第28项的电路板构造,其中所述密封装置包括:一个第三铜或铜基底合金盖元件至少在其边缘的周围具有一个第三薄耐火氧化物层;一个第二玻璃元件将所述盖元件的第三耐火氧化物层结合至第一和第二薄耐火氧化物层上:藉而所述晶片则被气密式地密封于所述凹处中。32﹒请求专利部份第21﹒项的电路板构造,其中所述电路板装置包括:一固至少在一个第二表面上具有一个薄耐火氧化物层的第一金属或合金元件;一个至少在一个第一表面上具有一个薄耐火氧化物层的第二金属或合金元件;和一装置其具有和所述第一和第二金属或合金元件的热膨胀系数密切配合的热膨胀系数以结合所述的第一和第二薄耐火氧化物层且将所述第一元件和第二元件做导电的绝缘,藉而消除了介于所述金属或合金元件和所述结合装置之间的热应力。33﹒如请求专利部份第33项的电路板构造,其中所述的第一和第二合金元件包括:2一12%的铝而其余的成份则为铜。34﹒请求专利部份第33项的电路板构造,其中所述结合装置还包括:一玻璃元件结合于所述第一和第二薄耐火氧化物层之间以将所述第一元件和第二元件做绝缘。35﹒请求专利部份第34项的电路板构造,其中所述第一合金元件支撑并强化所述复合物,所述第一元件还包括:一个第一铜或铜基底合金基质被结合至和所述第一元件的第一表面相对之第二表面上以增加所述第一元件的导电性。36﹒如请求专利部份第此项的电路板构造,其中所述第二铜或铜基底合金元件是一个在其上具有一电子电路图案的薄膜。37﹒如请求专利部份第36项的电路板构造,其中所述第二元件还包括:一个第二铜或铜基底合金基质被结合至和所述第二元件之第一表面相对的第二表面上以改善所述第二元件的导电性。38﹒如请求专利部份第34项的电路板构造,其中所述玻璃元件具有一个和所述第一或第二铜或铜基底合金之热膨胀系数値大致相同之热膨胀系数39﹒如请求专利部份第34项的电路板构造,其中所述第一和第二元件在其上皆具有一个导电电路且所述玻璃元件提供了所述第一和第二元件的硬度。40﹒如请求专利部份第39项的电路板构造还包括:一个导电装置位于所述玻璃元件中而延伸于所述第一和第二合金元件之间以在导电电路圃案之间做导电的交相连接。41﹒如请求专利部份第39﹒项的电路板构造还包括:一个金属栅装置被结合入所述玻璃元件中以硬化所述的复合物。42﹒如请求专利部份第41项的电路板构造,其中所述金属栅装置是二个在表面上具有一薄耐火氧化物层的铜或铜合金以和所述玻璃元件结合。43﹒如请求专利部份第42项的电路板构造还包括:导电装置位于所述玻璃元件中介于所述第一和第二合金元件之间且和所述的栅装置并不接触,用来做为导电电路图案之间的导电交相连接、44﹒如请求专利部份第21﹒项的电路板构造还包括:焊接装置以将所述的导电引结合至所述的电路板装置上。 |
