| 发明名称 | 一种二氧化硅微球嵌在连续多孔硅基质中的多层次结构材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种二氧化硅微球嵌在连续多孔硅基质中的多层次结构材料及其制备方法。该硅杂化材料是二氧化硅微球嵌在连续多孔硅基质的杂化结构；上述硅杂化材料采用stober法单分散80～800nm球形二氧化硅纳米粒子为硅源，置于700～800℃下通过镁热还原将部分二氧化硅还原为单质硅制备而成。本发明方法采用简单易得成本低廉的stober法二氧化硅为原料，结合工艺成熟，能耗较低的镁热还原技术，得到二氧化硅微球嵌在连续多孔硅基质中的杂化材料，该材料尺寸分布均匀，大小可调，用作锂离子电池负极材料可有效缓解硅的体积膨胀效应，提高循环稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN106129345A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610444246.7 | 申请日期 | 2016.06.17 |
| 申请人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明人 | 程亚军;左秀霞;朱锦 |
| 分类号 | H01M4/36(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/48(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;C01B33/023(2006.01)I | 主分类号 | H01M4/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人 | 杜军 |
| 主权项 | 一种硅杂化材料，其特征在于是二氧化硅微球嵌在连续多孔硅基质的杂化结构；上述硅杂化材料采用stober法单分散80～800nm球形二氧化硅纳米粒子为硅源，置于700～800℃下通过镁热还原将部分二氧化硅还原为单质硅制备而成。 | ||
| 地址 | 315201 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号 | ||