| 主权项 |
1.一种制造供热电性应用之一种物料的方法,该方法包括下列各个步骤即:形成一种粉末混合物其中含有包括至少铋和碲之第一化合物的组份元素以及能形成至少一种极为导电之相的第二化合物的组份元素;以及压缩至少一部份之该项粉碎混合物而形成该项物料之一种紧密底质。2.根据上述请求专利部份第1.项之一种方法在其中,第一化合物的组份元素包括铋、锑和碲。3.根据上述请求专利部份第2.项之一种方法在其中,该等组份元素系以大约10%的铋、30%的锑和60%的碲之比例存在。4.根据上述请求专利部份策3.项之一种方法在其中,第一化合物另外包括大约O.15 重量百分数的碘化碲。5.根据上述请求专利部份第1.项之一种方法在其中,第一化合物的组份元素包括铋、碲和硒。6.根据上述请求专利部份第5.项之一种方法在其中,第一化合物另外包括一种渗杂剂。7.根据上述请求专利部份第6.项之一种方法在其中,渗杂剂是氯化镉。8.根据上述请求专利部份第6.项之一种方法在其中,渗杂剂是碘化碲。9.根据上述请求专利部份第5.项之一种方法在其中,让等组份元素系以大约40%的铋、42-54%的碲以及18-6%的硒之比例存在。10.根据上述请求专利部份第9.项之一种方法在其中,第一化合物另外包括大约0.1至1重量百分数的氮化镉。11.根据上述请求专利部份第9.项之一种方法在其中,第一化合物另外包括大约0.1重量百分数的氯化镉。12.根据上述请求专利部份第9.项之一种方法在其中,第一化合物包括大约0.1至1重量百分数的碘化碲。13.根据上述请求专利部份第9.项之一种方法在其中,第一化合物包括大约0.2重量百分数的碘化碲。14.根据上述请求专利部份第1.项之一种方法在其中,第二化合物的至少一种组份元素是具有高导电性之一种元素。15.根据上述请求专利部份第14.项之一种方法在其中,至少一种元素是银。16.根据上述请求专利部份第1.项之一种方法在其中,至少一种极为导电之相是一种银一碲相。17.根据上述请求专利部份第1.项之一种方法在其中,第二化合物的组份元素包括银、碲和锑。18.根据上述请求专利部份第17.项之一种方法在其中,该等组份元素是以大约25%的银、25%的锑,以及50%的碲之比例存在。19.根据上述请求专利部份第1.项之一种方法在其中,该项粉碎混合物包括大约97-99.5%的第一化合物以及3-0.5%的第二化合物。20.根据上述请求专利部份第1.项之一种方法在其中,包括附加步骤即:烧结该项物料之紧密底质。21.根据上述请求专利部份第20.项之一种方法在其中,该项紧密底质系在大约摄氏400度时予以烧结。22.根据上述请求专利部份第1.项之一种方法,包括该等附加步骤即:自其各自之组份元素分开制备第一及第二化合物以及在形成粉碎混合物以前,分开压碎该等第一及第二化合物成为粉碎形式。23.根据上述请求专利部份第22.项之一种方法在其中,第一化合物包括铋、锑和碲。24.根据上述请求专利部份第23.项之一种方法在其中,该等铋、锑和碲是以大约10%的铋、30%的锑以及60%的碲之比例存在。25.根据上述请求专利部份第24.项之一种方法在其中,第一化合物另外包括一种渗杂剂。26.根据上述请求专利部份第25.项之一种方法在其中,该项渗杂剂为碘化碲。27.根据上述请求专利部份第26.项之一种方法在其中,第一化合物包括大约0.15重量百分数的碘化碲。28.根据上述请求专利部份第22.项之一种方法在其中,第一化合物包括铋、碲和硒。29.根据上述请求专利部份第28.项之一种方法在其中,第一化合物另外包括一种渗杂剂。30.根据上述请求专利部份第29.项之一种方法在其中,该项渗杂剂为氯化镉。31.根据上述请求专利部份第28.项之一种方法在其中,第一化合物包括铋、碲和硒其比例为:大约40%的铋、54%的碲和6%的硒。32.根据上述请求专利部份第31.项之一种方法在其中,第一化合物另外包括大约0.1至1重量百分数之氯化镉。33.根据上述请求专利部份第31.项之一种'方法在其中,第一化合物另外包括大约0.1重量百分数之氯化镉。34.根据上述请求专利部份第22.项之一种方法在其中,第二化合物的至少一种组份元素是具有高导电性之一种元素35.根据上述请求专利部份第34.项之一种方法在其中,该项至少一种元素为银。36.根据上述请求专利部份第22.项之一种方法在其中,至少一种极为导电之相是一种银一碲相。37.根据上述请求专利部份第22.项之一种方法在其中,第二化合物包括银、碲和锑。38.根据上述请求专利部份第37.项之一种方法在其中,银、锑和碲系以大约25%的银、25%的锑和50%的碲等比例存在。39.根据上述请求专利部份第22.项之一种方法在其中,粉碎混合物包括大约97-99.6%的第一化合物以及3-0.4%的第二化合物。40.根据上述请求专利部份第22.项之一种方法,包括该项附加步骤即:烧结该项物料之压紧底质41.根据上述请求专利部份第40.项之一种方法在其中,该项经压紧底质系在大约摄氏400度时予以烧结。42.根据上述请求专利部份第41.项之一种方法在其中、将该项经压紧之底质烧结历至少两小时。43.根据上述请求专利部份第22.项之一种方法在其中,该项粉碎混合物系在每平方厘米大约15吨之压力下予以压缩。44.根据上述请求专利部份第1.项之一种方法,包括该等附加步骤即:形成含有第一和第二化合物之一种熔化物,冷却该熔化物成固体物料形成,并压碎该固体形式物料而形成粉碎混合物。45.根据上述请求专利部份第44.项之一种方法,包括该等附加步骤即:在形成熔化物以前自其各自之组份元素分开制备第一和第二化合物。46.根据上述请求专利部份第45.项之一种方法在其中,第一化合物包括铋、锑和碲。47.根据上述请求专利部份第46.项之一种方法在其中,第一化合物包括铋、锑和碲其比例为:大约10%的铋、30%的锑和60%的碲。48.根据上述请求专利部份第47.项之一种方法在其中,第一化合物另外包括一种渗杂剂。49.根据上述请求专利部份第48.项之一种方法在其中,该项渗杂剂是碘化碲。50.根据上述请求专利部份第49.项之一种方法在其中,第一化合物包括大约0.15重量百分数的碘化碲。51.根据上述请求专利部份第45.项之一种方法在其中,第一化合物包括铋、碲和硒。52.根据上述请求专利部份第51.项之一种方法在其中,第一化合物另外包括一种渗杂剂。53.根据上述请求专利部份第52.项之一种方法在其中,该项渗杂剂是碘化碲。54.根据上述请求专利部份第51.项之一种方法在其中,该项第一化合物包括铋、碲和硒其比例为:大约40%的铋、42-54%的碲和18-6%的硒。55.根据上述请求专利部份第54.项之一种方法在其中,第一化合物包括大约00.1至1重量百分数的碘化碲。56.根据上述请求专利部份第54.项之一种方法在其中,第一化合物包括大约0.4重量百分数的碘化碲。57.根据上述请求专利部份第45.项之一种方法在其中,第二化合物的至少一种组份元素是具有高导电性之一种元素58.根据上述请求专利部份第57.项之一种方法在其中,该项至少一种元素是银。59.根据上述请求专利部份第45.项之一种方法在其中,至少一种极为导电之相是一种银一碲相。60.根据上述请求专利部份第45.项之一种方法在其中,第二化合物包括银、碲和锑。61.根据上述请求专利部份第60.项之一种方法在其中,银、锑及碲系以大约25%的银、25%的锑和50%的碲等比例存在。62.根据上述请求专利部份第45.项之一种方法在其中,熔化物包括大约97-99.5%的第一化合物和3-0.5%的第二化合物。63.根据上述请求专利部份第54.项之一种方法在其中,熔化物包括97-99.5%的第一化合物。64.根据上述请求专利部份第61.项之一种方法在其中,熔化物包括 3-0.5%的第二化合物。65.根据上述请求专利部份第45.项之一种方法,包括该项附加步骤即:烧结该项物料之经紧压底质。66.根据上述请求专利部份第65.项之一种方法在其中,该项紧密底质系在大约摄氏400度时予以烧结。67.根据上述请求专利部份第66.项之一种方法在其中,将紧密底质烧结历大约两小时。68.根据上述请求专利部份第47.项之一种方法在其中,该项粉碎混合物系在每平方厘米大约12吨之压力下予以压缩。69.根据上述请求专利部份第47.项之一种方法在其中,该项粉碎混合物之粒子其尺寸是在100与150微米间。70.根据上述请求专利部份第51.项之一种方法在其中,该项粉碎混合物系在每平方厘米大约10至16吨之压力下予以压缩。71.根据上述请求专利部份第51.项之一种方法在其中,粉碎混合物之粒子其尺寸是大约150微米或更小。72.根据上述请求专利部份第1.项之一种方法包括该等附加步骤即:形成含有第二化合物和第一化合物之该等组份元素之一种熔化物,冷却该熔化物成固体物料形式,并压碎该固体形式物料而形成粉碎混合物。73.根据上述请求专利部份第72项之一种方法在其中,第一化合物包括铋、碲和硒。74.根据上述请求专利部份第73项之一种方法在其中,第一化合物另外包括一种渗杂剂。75.根据上述请求专利部份第74项之一种方法在其中,该项渗杂剂为碘化碲。76.根据上述请求专利部份第73项之一种方法在其中,第一化合物包括铋、碲和硒其比例为:大约40力的铋、42-54%的碲,和18-6%的硒。77.根据上述请求专利部份第76项之一种方法在其中,第一化合物包括大约0.1至1重量百分数的碘化碲。78.根据上述请求专利部份第76项之一种方法在其中,第一化合物包括大约0.1重量百分数的碘化碲。79.根据上述请求专利部份第72项之一种方法在其中,第二化合物之至少一种组份元素是具有高导电性之一种元素。80.根据上述请求专利部份第79项之一种方法在其中,该项至少一种元素为银。81.根据上述请求专利部份第72项之一种方法在其中,至少一种极为导电之相是一种银一碲相。82.根据上述请求专利部份第72项之一种方法在其中,第二化合物包括银、碲和锑。83.根据上述请求专利部份第82项之一种方法在其中,第二化合物包括银、锑和碲其比例为:大约25%的银、25%的锑和50%的碲。84.根据上述请求专利部份第72项之一种方法在其中,熔化物包括大约99%的第一化合物和1%的第二化合物。85.根据上述请求专利部份第72项之一种方法,包括该项附加步骤即:烧结该项物料之紧密底质。86.根据上述请求专利部份第72项之一种方法在其中,该项紧密底质系在大约摄氏400度时予以烧结。87.根据上述请求专利部份第86项之一种方法在其中,将该紧密底质烧结历大约两小时。88.根据上述请求专利部份第72项之一种方法在其中,粉碎混合物系在每平方厘米大约15吨之压力下予以压缩。89.供热电性应用之一种物料,该项物料包括自紧密粉末物料所形成之一个底质,该底质包括至少铋和碲以及至少一种极为导电之相在其中。90.根据上述请求专利部份第89项之一种物料在其中,该项至少一种极为导电之相是一种银一碲相。91.根据上述请求专利部份第89项之一种物料在其中,该项底质包括铋、锑、碲和银。92.根据上述请求专利部份第91项之一种物料在其中,该项底质另外包括一种渗杂剂。93.根据上述请求专利部份第92项之一种物料在其中,该项渗杂剂是碘化碲。94.根据上述请求专利部份第93项之一种物料在其中,该项底质包括大约10%的铋、30%的锑和60%的碲。95.根据上述请求专利部份第94项之一种物料在其中,该项底质另外包括少于1%的银。96.根据上述请求专利部份第95项之一种物料在其中,该项底质另外包括大约0.15重量百分数的碘化碲。97.根据上述请求专利部份第89项之一种物料在其中,该项底质包括铋、碲、硒和银。98.根据上述请求专利部份第97项之一种物料在其中,该项底质另外包括一种渗杂剂。99.根据上述请求专利部份第98项之一种物料在其中,该项渗杂剂是氯化镉。1O0.根据上述请求专利部份第98项之一种物料在其中,该项渗杂剂是碘化碲。101.根据上述请求专利部份第98项之一种物料在其中,该项底质包括大约40%的铋、42-54%的碲以及18-6%的硒。102.根据上述请求专利部份第101项之一种物料在其中,该项底质包括少于1%的银。103.根据上述请求专利部份第102项之一种物料在其中,该项底质包括少于1%的锑。104.根据上述请求专利部份第103项之一种物料在其中,该项底质包括自0.1-0.2重量百分数的渗杂剂。105.根据上述请求专利部份第104项之一种物料在其中,该项渗杂剂是碘化碲。l06.根据上述请求专利部份第104项之一种物料在其中,该项渗杂剂是氯化镉。107.一种制造供热电性应用之一种物料的方法,该方法包含下列各项步骤即:形成一种第一粉碎混合物其中含有包括至少铋和碲之第一化合物的组份元素以及能形成至少一种极为导电之相的第二化合物的组份元素;加热该项粉碎混合物而形成一种熔化物;冷却该项熔化物成固体物料形式;压碎该项固体物料而形成一种第二粉碎混合物以及;在自大约3.3吨/平方厘米至大约8.8吨/平方厘米范围内之压力下,压缩至少一部份的第二粉碎混合物而形成一种紧密底质。108.根据上述请求专利部份第107项之一种方法在其中,第一化合物包括铋、锑和碲。109.根据上述请求专利部份第108项之一种方法在其中,第一化合物包括铋、锑和碲其比例为:大约10%的铋、30%的锑以及60%的碲。110.根据上述请求专利部份第109项之一种方法在其中,第一化合物另外包括一种渗杂剂。111.根据上述请求专利部份第110项之一种方法在其中,该项渗杂剂为碘化碲。112.根据上述请求专利部份第1l1项之一种方法在其中,第一化合物包括大约0.20重量百分数的碘化碲。ll3.根据上述请求专利部份第107项之一种方法在其中,第一化合物包括铋、碲和硒。ll4.根据上述请求专利部份第113项之一种方法在其中,第一化合物另外包括一种渗杂剂。115.根据上述请求专利部份第114项之一种方法在其中,渗杂剂为碘化碲。116.根据上述请求专利部份第113项之一种方法在其中,第一化合物包括铋、碲和硒其比例为:大约40%的铋、42-54%的碲,以及18-6%的硒。l17.根据上述请求专利部份第116项之一种方法在其中,第一化合物包括大约0.1至1重量百分数的碘化碲。118.根据上述请求专利部份第I17项之一种方法在其中,第一化合物包括大约0.2重量百分数的碘化碲。1l9.根据上述请求专利部份第107项之一种方法在其中,第二化合物的至少一种组份元素是具有高导电性之一种元素。120.根据上述请求专利部份第119项之一种方法在其中,该项至少一种元素是银。121.根据上述请求专利部份第107项之一种方法在其中,至少一种极为导电之相是一种银一碲相。122.根据上述请求专利部份第107项之一种方法在其中,第二化合物包括银、碲和锑。123.根据上述请求专利部份第122项之一种方法在其中,银、碲和碲是以大约25%的银、25%的锑和50%的碲等比例存在。124.根据上述请求专利部份第107项之一种方法在其中,熔化物包含大约97-99.5%的第一化合物和3-0.5%的第二化合物。125.根据上述请求专利部份第116项之一种方法在其中,熔化物包括97-99.5%的第一化合物。126.根据上述请求专利部份第123项之一种方法在其中,熔化物包括3-0.5%的第二化合物。127.根据上述请求专利部份第109项之一种方法包括在项附加步骤即:烧结该项物料之紧密底质。l28.根据上述请求专利部份第127项之一种方法在其中,该项紧密底质系在大约摄氏375度时予以烧结。129.根据上述请求专利部份第128项之一种方法在其中,将紧密底质烧结历大约两小时。130.根据上述请求专利部份第109项之一种方法在其中,粉碎混合物系在大约3.3至大约6.6吨/平方厘米之压力下予以压缩。131.根据上述请求专利部份第109项之一种方法在其中,该项粉碎混合物的粒子其尺寸为高达150微米。132.根据上述请求专利部份第113项之一种方法包括该项附加步骤即:烧结该项物料之紧密底质。l33.根据上述请求专利部份第132项之一种方法在其中,该项紧密底质系在大约摄氏500度时予以烧结。134.根据上述请求专利部份第133项之一种方法在其中,将该紧密底质烧结历大约两小时。135.根据上述请求专利部份第113项之一种方法在其中,粉碎混合物系在大约5.5至大约8.8吨/平方厘米之压力下予以压缩。136.根据上述请求专利部份第113项之一种方法在其中,粉碎混合物的该等粒子其尺寸为高达150微米。137.根据上述请求专利部份第107项之一种方法在其中,加热该项混合物而形成熔化物之步骤包括:加热该项混合物至大约摄氏850度之温度。 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