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Procédé de traitement thermique de monocristaux de silicium oxygéné et légèrement dopé, permettant d'obtenir un substrat conducteur en silicium qui draine les courants parasites des transistors à canaux n et à canaux p adjacents, évitant ainsi le verrouillage dans des circuits intégrés CMOS. Une tranche de silicium monocristallin oxygéné et légèrement dopé (12) est chauffée à une température comprise entre 1000 et 1150oC pour diffuser l'oxygène à l'extérieur depuis la couche de surface (10). Après la fabrication du dispositif sur cette surface dénudée, la tranche est chauffée à 450oC pour produire des donneurs d'oxygène dans la masse de la tranche (18) qui devient alors très conductrice ou de type n. La surface de la tranche demeure légèrement dopée (16), de type n ou p, suivant le dopage original. Grâce à un masquage approprié pendant l'étape de diffusion d'oxygène vers l'extérieur, des îlots (22) de matériau de type p ou n légèrement dopé sur la surface peuvent être entourés par des anneaux de protection en un matériau de type n fortement conducteur formé dans l'étape finale de chauffage à 450oC. |
