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发明名称 증가된 전류증폭률을 가진 트랜지스터를 잦춘 반도체 장치
摘要 내용 없음
申请公布号 KR850005135(A) 申请公布日期 1985.08.21
申请号 KR19840008417 申请日期 1984.12.27
申请人 null, null 发明人 후꾸시마 도시다까
分类号 G11C17/08;G11C17/16;H01L21/74;H01L23/00;H01L23/525;H01L27/10;H01L27/102;H01L29/10 主分类号 G11C17/08
代理机构 代理人
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