| 主权项 |
1.一种封入萤光灯用低熔点合金之制造方法,其特征为包括:将封入萤光灯用低熔点合金予以熔融之工程;将该熔融合金从喷嘴排出之工程;及使该排出之熔融合金与冷媒接触而予以急冷之工程。2.如请求专利部份第1.项之方法,其特征为:冷媒为液体,从喷嘴中使熔融合金滴下于该冷媒中而形成粒状合金。3.如请求专利部份第2.项之方法,其特征为:喷嘴之内径为0.15-1.0mm。4.如请求专利部份第2.项之方法,其特征为:喷嘴与冷媒液面之距离为2-1OOmm。5.如请求专利部份第2.项之方法,其特征为:熔融之低熔点合金从喷嘴中喷出之压力为0.005-0.2kg/cm2。6.如请求专利部份第2.项之方法,其特征为:冷媒为从水,油、甘油、氧化铝胶质、氧化锆胶质中选出之一种7.如请求专利部份第1.项之方法,其特征为:冷媒为液体,从喷嘴中连续的射出熔融合金于冷媒中而进行冷却,以形成线状合金。8.如请求专利部份第7.项之方法,其特为:喷嘴之内径为0.3-2.0mm。9.如请求专利部份第7.项之方法,其特征为:喷嘴与冷媒液面之距离为30mm以下。10.如请求专利部份第7.项之方法,其特征为:将冷媒朝一方向旋转而受理熔融合金。11.如请求专利部份第7.项之方法,其特征为:冷媒系从水、油、甘油、氧化铝胶质、氧化锆胶质中选出之一种12.如请求专利部份第1.项之方法,其特征为:冷媒系由旋转体形成,将熔融合金从喷嘴连续的射出于该旋转体表面而进行冷却,以形成线状合金。13.如请求专利部份第12.项之方法,其特征为:旋转冷却体之旋转速度为0.2-5.0m/sec。14.如请求专利部份第12.项之方法,其特征为:喷嘴2内径为0.2-2.omm。15.如请求专利部份第12.项之方法,其特征为:射出之低融点合金之温度较其熔点温度高10-1000℃。16.如请求专利部份第12.项之方法,其特征为:在旋转冷却体之表面形成有沿着周方向之环状凹沟。17.如请求专利部份第1.项之方法,其特征为:低融点合金系由Sn及Pb两者中之一种或二种,与Bi及In所构成。18.如请求专利部份第1.项之方法,其特征为:低融点合金系由Sn及Pb两者中之l种或2种,与Bi及In及Hg所构成。19.如请求专利部份第17.项之方法,其特征为:低融点合金系重量%为Sn15-17%,Pb5-40%,Bi30-70%,In4-5020.如请求专利部份第18.项之方法,其特征为:Hg对从Sn、Pb、Bi、In中选出之合金成份之重量%为4-25 %。 |
