发明名称 Process for examining defects in masks.
摘要 Masken (M) mit Submikrometerstrukturen, insbesondere Masken (M) für die Röntgenlithografie, sind einer visuellen oder automatischen Sichtprüfung über lichtoptische Mikroskope aufgrund der begrenzten Auflösung durch die Lichtwellenlänge nicht zugänglich. Zur Lösung dieses Problems werden die Submikrometerstrukturen einer zu prüfenden Maske (M) vergrößert auf einen Bildträger (Bt) abgebildet, wobei ein derartiger Abbildungsmaßstab gewählt wird, daß die vergrößerten Strukturen auf dem Bildträger (Bt) anschließend einer visuellen oder automatischen Sichtprüfung nach bekannten Verfahren unterzogen werden können. Die Rückvergrößerung der Submikrometerstrukturen von Masken (M) für die Röntgenlithografie wird vorzugsweise durch eine Zentralprojektion über eine punktförmige Röntgenstrahlquelle (Rq) vorgenommen, deren Wellenlänge nahe der für die Strukturübertragung verwendeten Wellenlänge liegt. Auf dem Bildträger (Bt) ergibt sich dann eine vergrößerte Struktur der Maske (M) entsprechend deren lokalen Absorption für Röntgenstrahlung.
申请公布号 EP0220471(A1) 申请公布日期 1987.05.06
申请号 EP19860112874 申请日期 1986.09.18
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN 发明人 DOEMENS, GUNTER, DR.
分类号 G03F1/00;(IPC1-7):G03B41/00 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人
主权项
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