| 主权项 |
1﹒一种场效半导体积体电路,包括有至少为 一个的闸极二进信号转送电路,包含有一 个单一信号通过电晶体(20A、B)连 接在一个数元信号输入(28:A、B) 和一个数元信号输出(12A、B)之间 ,它的一个电极(24A、B)连接到数 元信号输入(28A、B),而它的另外 一个电极(26A、B)连接到数元信号 输出(12A、B),和交换电路(32 、34)连接它的导通控制电极(22A 、B),被连接成只作暂时的激励(经由 38A、B),但是只在一些指定的间隔 操作,单一信号通过电晶体(20A、B )的操作用来使信号在一些连续的激励之 间转送,这些激励是由于信号通过电晶体 的固有的和未放电的电容量所形成之导通 暂留而促成的。 2﹒如上述请求专利部份第1﹒项所述之积体 电路,其中的交换电路(32,34)包 括有一个第一场效电晶体(32A、B) 被连接成用来促成决定单一信号通过电晶 体(20A、B)的导通控制电极(22 A、B)的激励所需之信号(经由38A 、B)的导通,否则就让导通控制电极( 22A、B)浮动。 3﹒如上述请求专利部份第2项所述之积体电 路,其中的交换电路(32.34)包括 有一个第二场效电晶体(34A、B)与 第一场效电晶体(32A、B)互相连接 ,依照两个激励信号(经由36R、C) 来控制后者的导通。 4﹒如上述请求专利部份第3项所述之积体电 路,其中第二场效电晶体(34A、B) 与第一场效电晶体(32A、B)成串联 的连接,和可被激励成导通,只有当两个 场效电晶体(32.34)双方在一个一 致的基准时间被激动(经由36R、C) 和一个激励信号经由其他的一些电晶体( 经由 38A、B)来施加时/信号通过 电晶体才会被激励变成导通。 5﹒如上述请求专利部份第2至4﹒项中之任 何一项所述之积体电路,其中场效电晶体 的一个(32)或两个(32)、(34 )其通道型式与信号通过电晶体者相反。 6﹒如上述请求专利部份第2至5﹒项中之任 何一项所述之积体电路,更包含有更新控 制弯路(40),以适当的间隔重复的操 作,用来将激励信号供给到交换电路。 7﹒如上述请求专利部份第6﹒项所述之积体 电路,更包含有一个闩暂存器(42), 用来控制激励信号的供给。 8﹒如上述请求专利部份中之任何一项所述之 积体电路,更包含有一个逻辑电路(10 ),其输入和/或输出(12A、12B )包括有一些选择性的路径,各含有一个 单一信号通过电晶体(20A、B)。 9﹒如上述请求专利部份中之任何一项所述之 种双电路,其中固有的闸电容量或该(或 每一个)信号通过电晶体(20A、B) 被加强与积体电路的其他电晶体(32. 34)的关系。 10﹒一种场效半导体积体电路,其有至少为一 个的信号传送电路,该信号传送电路对应 到附图所示之电路。 |
