| 主权项 |
1.一种可便用于对基体( substrate)加工之化学反应器,其中,基体污染被减至最低,其包括:一适合以预定之方向固定一实质上平面基体之支持物;一位于邻近并隔开该基体之流体流动导槽,该导槽具有一实质上对该基体平面平行之平面;包括流动控制机构之装置,可在加工期间输送流动通过该导槽,使流体在加工期间占据所有该间隙;可调整在该导槽与该基体间之间隙之装置;及可提供该导槽与该基体间之相对移动之装置者。2.如请求专利部份第1.项之反应器,其中,该移动为旋转移动者。3.如请求专利部份第2.项之反应器,其中,该基体系对着该导槽旋转,该导槽为保持静止不动者。4.如请求专利部份第2.项之反应器,其中,该导槽系对着该基体旋转,该基体为保持静止不动者。5.如请求专利部份第2.项之反应器,其中,该基体与导槽为以相反方向旋转者。6.如请求专利部份第1.项之反应器,其中,该导槽或该基体为保持不动者。7.如请求专利部份第1.项之反应器,其中,该支持物包括可控制该基体温度之装置者。8.如请求专利部份第7.项之反应器,其中,该温度控制装置包括可在该支持物内循环一控制的温度之装置者。9.如请求专利部份第7.项之反应器,其中,该温度控制装置包括可控制该支持物温度之电装置者。10.如请求专利部份第9.项之反应器,其中,该电装置包括在该支持物内之加热线圈及可将电能应用至该线圈之装置者。11.如请求专利部份第9.项之反应器,其中,该电装置包括一Pelletier 装置者。12.如请求专利部份第1.项之反应器,其中,该导槽包括在该平面上,可增加自其通过分配之流体混合分布之装置者。13.如请求专利部份第12.项之反应器,其中,该可增加混合之装置包括在该导槽表面内之向外运转之沟者。14.如请求专利部份第12.项之反应器,其中,该可增加混合之装置包括在该导槽表面上之向外运动之肋者。15.如请求专利部份第1.项之反应器,其中,该流体输送装置包括一或以上通过与邻近该导槽中心之孔径者。16.如请求专利部份第15.项之反应器,其中,至少该孔径之一包括一扩强分歧之孔口者。17.如请求专利部份第]5.项之反应器,其中,至少该孔径之一被限在该导槽表面者。18.如请求专利部份第]5.项之反应器,其中,至少该孔径之一为向外展开朝向该基体者。19.如请求专利部份第15.项之反应器,其中,该孔径之一为在该导槽之中心,并进一步包括通过该导槽邻近其中心之流体释放槽,以防止流体气泡存在于该导槽与该基体间之间隙者。20.如请求专利部份第5.项之反应器,其中,该导槽之旋转轴线与该基体为偏位,以防止气泡形成者。21.如请求专利部份第1.项之反应器,其进一步包括可监测在该间隙内流体之预定参数之装置者。22.如请求专利部份第21.项之反应器,其进一步包括可修改流体流动通过对该监测的参数反应之该导槽之装置者。23.如请求专利部份第21.项之反应器,其中,该监测装置包括可导引光线进入该间隙内及可侦测该间隙内之光线之装置者。24.如请求专利部份第23.项之反应器,其中,该光线导引装置包括可设立通过至少该导槽一部份之光径之装置者。25.如请求专利部份第24.项之反应器,其中,该光径设立之装置包括一在该导槽之光学透明窗者。26.如请求专利部份第1.项之反应器,其中,该导槽对一预定波长之光线为光学透明者。27.如请求专利部份第26.项之反应器,其进一步包括一光源及可导引光线通过该导槽及进入该间隙之装置者。28.如请求专利部份第27.项之反应器,其中,该光源为圆形并在该导槽上方中心者。29.一种用化学品接触基体顶面加工基体处理减少污染之改良方法,其包含之步骤为:提供基体及支持物;提供流体流动导槽直接在基体之上方;提供在基体与流体流动导槽间之相对运动,使任何发生在该基体上之化学反应会通过一结合混合作用及离心力作用,其造成化学物自基体之中心向外流动;及提供在流体流动导槽与基体间之间隙,使间隙在加工期间可连续用流体填充,其中,任何活性化学作用系发生在基体之表面上者。30.如请求专利部份第29.项之方法,其进一步包括开始提供一相当大间隙,在流体导入间隙后,减小间隙,藉以减少在间隙内气泡形成之步骤者。31.如请求专利部份第29.项之方法,该方法包括一乾燥步骤,其中,基体对流体导槽之相对运动为旋转性及在低rpm,其中,产生化学反应之工作流体系由一惰性气体取代,且其中,在导槽与基体间之相对旋转速度,在乾燥过程期间,被增加至少一序数者。 |
