发明名称 一种新型校正失调电压的动态比较器
摘要 本发明公开了一种新型校正失调电压的动态比较器,包括预放大器、锁存器和失调校正电路,预放大器包括作为偏置电流源的第一MOS管、作为差分输入对管的第二MOS管和第三MOS管、以及作为负载管的第四MOS管和第五MOS管;还包括第六MOS管和第七MOS管,所述第六MOS管和第七MOS管均为PMOS管;所述第六MOS管的栅极接偏置电压、源极与所述第四MOS管的漏极连接、漏极与所述第二MOS管的漏极连接至预放大器的第一输出节点;所述第七MOS管的栅极接所述失调校正电路的控制信号输出端、源极与所述第五MOS管的漏极连接、漏极与所述第三MOS管的漏极连接至预放大器的第二输出节点。本发明比较器的预放大器具有较高的增益、较快的速度,且插入的MOS管负载效应低。
申请公布号 CN103023437A 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201210548222.8 申请日期 2012.12.17
申请人 清华大学深圳研究生院 发明人 王自强;姜珲;张春;麦宋平;陈虹;王志华
分类号 H03F1/30(2006.01)I 主分类号 H03F1/30(2006.01)I
代理机构 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人 江耀纯
主权项 一种新型校正失调电压的动态比较器,包括预放大器、锁存器和失调校正电路,其中,所述预放大器包括作为偏置电流源的第一MOS管(MN0)、作为差分输入对管的第二MOS管(MN1)和第三MOS管(MN2)、以及作为负载管的第四MOS管(MP3)和第五MOS管(MP5);所述第一MOS管(MN0)的栅极接第一时钟信号(CLK),所述第二MOS管(MN1)和第三MOS管(MN2)的栅极分别接动态比较器的待比较信号(Vinp、Vinn)、源极和第一NMOS管(MN0)的漏极相连;其特征在于:所述预放大器还包括第六MOS管(MP5)和第七MOS管(MP6),所述第六MOS管(MP5)和第七MOS管(MP6)均为PMOS管;所述第六MOS管(MP5)的栅极接偏置电压(Vbias)、源极与所述第四MOS管(MP3)的漏极连接、漏极与所述第二MOS管(MN1)的漏极连接至预放大器的第一输出节点(Voutn);所述第七MOS管(MP6)的栅极接所述失调校正电路的控制信号输出端(Vcal)、源极与所述第五MOS管(MP4)的漏极连接、漏极与所述第三MOS管(MN2)的漏极连接至预放大器的第二输出节点(Voutp)。
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