| 摘要 |
<P>L'invention concerne un transistor à effet de champ, qui comporte, outre les électrodes de source, grille et drain, une électrode supplémentaire.</P><P>Dans ce dispositif, un corps semi-conducteur 1 porte des métallisations de source 2, de grille 3 et de drain 4, 5 qui définissent un transistor principal. La métallisation du drain est séparée en deux parties 4 et 5 séparées par un canal sur lequel est disposée une métallisation 6 de seconde grille, définissant un transistor secondaire 4 + 5 + 6. Les deux parties 4 et 5 du drain sont couplées par ce transistor secondaire, dont le canal est séparé du canal principal. Le transistor secondaire 4 + 5 + 6 permet de contrôler le gain du transistor principal, ou de moduler son signal en amplitude ou de mélanger deux fréquences adressées sur les deux grilles 3, 6.</P><P>Application au traitement de signal, notamment en hyperfréquence.</P>
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