发明名称 压缩式微电路接头座
摘要
申请公布号 TW115716 申请公布日期 1989.06.21
申请号 TW077202027 申请日期 1987.03.21
申请人 休斯飞机公司 发明人 纳尔彼屈劳
分类号 H01L23/02 主分类号 H01L23/02
代理机构 代理人 田德俭 台北巿八德路三段八十一号七楼之七
主权项 1.一种用以提供一晶片介面凸台及多数压缩式微电路接头座之组合,包括:一用介电材料制成之凸台构件,具有:一第一平面轴,系在平行于所述凸台构件上最长平面维度之方向上延伸,一第二平面轴,系在平行于所述凸台机件上次长平面维度之方向上延伸,一横轴,系在垂直于所述第一及第二平面轴之方向上延伸,凸台顶平面,系在大致垂直于所述横轴之方向上延伸并以所述凸台构件之所述最长及所述次长二平面为界,多数平面周壁,通常系平行于所述横轴,多数垂直电耦合器装置,大致位于靠近所述平面周壁处,所述多数垂直电耦合器装置各有一大致与所述凸台构件之所述横轴平行之垂直维度,所述多故垂直电耦合器装置尚各有一沿所述耦合器装置之垂直维度延伸之导电涂层,多数凸台介面导电端子,均系置于所述凸台顶平面上,所述置于所述凸台顶平面上之多数凸台介面导电端子系与以机械方式耦合于所述凸台顶平面之多数导电路径行电耦合,所述多数导电路径进一步与所述垂直电耦合器装置行选择性电耦合,一半导体晶片,具有对应于所述晶片之最长及最宽二维度之二平面维度;所述半导体晶片尚具有一包含最上层主动电路件而以所述二平面维度为界之晶片顶面;所述晶片尚具有多数配置于所述晶片顶而且通常包围所述最上层主动电路件之晶片介面装置;所述多数晶片介面装置又经选择连接于所述主动电路件并通常置于所述晶片顶面之周边;所述半导体晶片系以机械方式耦合于所述凸台构件以使所述晶片顶面大致邻接所述凸台构件;所述多数晶片介面装置又藉多数凸台一晶片电接触装置与所述垂直电耦合器装置行选择性电耦合:以及配置于所述凸台介面导电端子上之多数装置,用以提供多数弹性微电子连接构件;所述装置可以弹簧加力之配置方式接纳数故与各该装置关连之外部接头。2.如请求专利部份第1项所请求之组合,其中所述多数用以提供弹性微电子连接构件之装置各包含:一导电材质主体,具有一上方部份以及至少三只向下配置之接触构件,各构件自所述上方部份伸出以提供与一大致扁平之导电衬垫间之稳定机械式耦合及可靠电耦合;而所述主体之构形为与各所述接触构件结合以使所主体及各所述接触构件能有相当之挠曲及弹实簧荷载便在一机械荷载力施于所述主体之所述上方部份时形成稳定之电连接。3. 如请求专利部份第2项所请求之组合,其中每一所述多数装置为一种压缩式微电路接头座,包含.一通常具有半球形轮廓之金属模片,包括一中心部份及四只辐射之电接头脚,每一所述脚末端通常均扩展如一扁平垫适合制作一具有大致平坦导电表面之牢固电接面;而所述模片系用一能使所述模片在接受一施于所述中心部份之压力时弯曲如一弹簧片之金属制成。4. 如请求专利部份第3项所请求之组合,其中所述压缩式微电路接头座系一层金属,例如铝沈积在一具有接头座设计之罩片而成。5﹒如请求专利部份第3或4项所请求之组合,用以于一单一晶片载体内提供一晶片介面凸台及多数压缩式微电路接头座,另外尚包含:一陶质主体,具有一凹陷以接纳并扣持所述凸台构件,所述半导体晶片及所述多数压缩式微电路接头座之组合;一活塞,其位置邻接所述凸台构件,所述半导体晶片及所述多数压缩式微电路接头座之组合;所述活塞尚受一弹簧驱迫而与所述凸台构件,所述半导体晶片及所述多数压缩式微电路接头座之组合成机构式结合;而所述弹簧系藉一可与所述陶质主体牢固配合之可移动封盖保持其抵于所述活塞成压缩状态。图示简单说明:图1a至1e例示制作本创作之方法;所示为于一基底上形成压缩式接头座之各阶段。图lf系在一基底上由多数导电路径连接之完成压缩式接头座之透视图。图2系一由多数晶片与晶片介面凸台总成所成晶片阵列之透视图;该等总成系藉压缩式接头座扣持于对应之承座内并由承座予以联结,而各压缩式接头座又与一互连接头元件联结。图3系一单一晶片载体之侧面剖视图;该载体用多数压缩式接头座持留并联结一晶片。
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