发明名称 自助陶瓷构造及其制法
摘要 一种自助陶瓷构造之制法,包括提供一第一自助陶瓷体,该陶瓷体包括:(i)一多晶氧化反应生成物,系于一第一熔化之母金属与一第一氧化剂氧化时形成,以及(ii)相连之多孔,至少部份可从该第一陶瓷体一个以上之表面相通。一第二陶瓷体系藉与一汽化氧化剂反应而形成一第二多晶物料渗透至少该第一陶瓷体一部份之多孔。附注:本案已向美国申请专利,申请日期:1986年9月16日,案号:907,923号。
申请公布号 TW127365 申请公布日期 1990.01.21
申请号 TW076105428 申请日期 1987.09.14
申请人 蓝赛德科技公司 发明人 哲力.温斯坦因;马克.S.纽寇克
分类号 C04B38/08 主分类号 C04B38/08
代理机构 代理人 赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号白宫企业大楼一一一二室
主权项 1.一种自助陶瓷构造之制法,包括下列步骤:(a)提供一第一自助陶瓷体,包括(i)一第一多晶氧化反应生成物,系于一第一熔化之母金属与一第一氧化剂氧化时形成,以及(ii)相连之多孔至少部份可和该第一陶瓷体一个以上之表面相通;(b)使一第二母金属与该第一陶瓷体彼此相对,故该第二母金属之熔化与第一汽相氧化剂起反应会形成一第二多晶氧化生成物,彼在一寺向及进入该第一陶瓷体该相连之多孔之方向;以及(c)将该第二母金属加热到一温度范围高于其熔点但是低于该第一与第二氧化反应生成物之熔点,以形成一滩熔化之第二母金属,并在该温度范围内;(i)使该熔化之第二母金属与该汽相反应剂起反应,以形成该第二多晶氧化反应生成物;(ii)至少一部份该第二氧化反应生成物保持接触该滩溶化之第二母金属与该汽相氧化剂,并介于该母金属与该氧化剂之间,因而朝向该氧化剂抽动该第二母金属经过该第二多晶物料,所以在汽相氧化剂与此前形成之第二氧化生成物之间之界面继续形成该第二氧化反应生成物;以及(iii)继续该反应一段充分之时间以使该第二多晶物料渗透至少该第一陶瓷体之部份多孔者。2.一种自助陶瓷构造之制法,该构造包括一多晶物料,为至少一种母金属与一种氧化剂之氧化反应生成物,该制法包括下列步骤;(a)将一第一母金属加热以形成一滩第一熔化之母金属,并使该第一熔化之母金属与一第一氧化剂在一足以形成一第一氧化反应生成物之温度起反应,使该第一氧化反应生成物保持接触该滩熔化之第一母金属与该第一氧化剂,并伸展介于该母金属与该第一氧化剂之间,(b)保持该温度,以逐渐朝向该第一氧化剂抽动该熔化之金属通过该第一氧化各应生成物,所以在该第一氧化剂与此前形成之第一氧化反应生成物之间之界面继续形成该第一氧化反应生成物,以及(c)继续形成该第一氧化分之时间以产生一第一自助陶瓷体,系包括该第一氧化反应生成物以及至少一孔隙与至少一种金属成份,该孔隙为选自包括,控制第一氧化反应生成物形成时之温度、控制形成第一氧化反应生成物之时间长短,将掺质物料与第一母金属结合、使所形成之自助坯体处于汽化气团及使所形成之自助坯体受到滤沥剂(leachant)作用之群中之至少一处理步骤的结果所致:使一第二母金属与该第一多晶物料彼此相对定向,故在朝向及进入该第一自助陶瓷坯体之多孔之方向,形成一第二多晶氧化反应生成物;重复上述步骤(a)、(b)及(c),该第二母金属及使用汽相氧化剂形成一第二氧化反应生成物;继续重复之反应历一段充分之时间,故该第二氧化反应生成物掺透进入至少一部份该第一自助陶瓷体之多孔,因而形成该陶瓷构造者。3.如申请专利范围第1项或第2项之制法,其中,该第一陶瓷体之该孔隙之渗透仅发生于其第一地带,并使该第一陶瓷体之一第二地带不具有该第二氧化反应生成物之任何渗透者。4.如申请专利范围第1项或第2项之制法,更包括将一可以掺透之填充物料层包埋于该第一陶瓷体内者。5.如申请专利范围第4项之制法,其中,该可以渗透之填充物料层为一包含一成型之预成形,而且该渗透进入该预成形产生该第一陶瓷体为一陶瓷复合体具有相对应于该预成形之形状者。6.如申请专利范围第1项或第2项之制法,其中,用以氧化该第一母金属之该氧化剂为与用以氧化该第二母金属之氧化剂不同者。7.如申请专利范围第1项之制法,其中,第一及第二母系从铝、矽、钛、锡、锆及铪组成之族中选出者。8.如申请专利范围第1项或第2项之制法,其中,该第一母金属与该第二母金属各包括一铝母金属者。9.如申请专利范围第1项或第2项之制法,其中,该汽相氧化剂为空氧者。10.如申请专利范围第1项或第2项之制法,,其中,该第一氧化剂与该汽相氧化剂均包括空气者。11.如申请专利范围第1项或第2项之制法,,包括利用一种掺质物料配合该第一母金属及该第二母金属之至少一者。12.如申请专利范围第1项或第2项之制法,,其中,该第一与第二母金属包括铝金属,而且第一与第二多晶氧化反应反生成物主要均包括氧化铝者。13.如申请专利范围第1项或第2项之制法,,其中,在藉该第二氧化反应生成物渗透该第一陶瓷体内之孔隙以前,该第一陶瓷体之孔隙度,系介于第一陶瓷体之5至45体积%之间者。14.如申请专利范围第1项或第2项之制法,,其中,该第一陶瓷体包括至少一种相连之金属成份,其为至少部份可和该第一陶瓷体之至少一个表面相通,并在其中,该第一陶瓷体系浸于该浸析剂内,此在以该第二氧化反应生成物掺透该陶瓷体之孔隙以前,藉以至少部份溶解出该第一陶瓷体之该至少一相连金属成份者。15.如申请专利范围第1项或第2项之制法,,其中,该第一与第二母金属在成份方面为实质地相同者。16.如申请专利范围第1项或第2项之制法,,其中,该第一与第二金属在成份方面彼此不同者。17.如申请专利范围第1项或第2项之制法,,其中,该第一陶瓷体包括至少一种相连金属成份,其为至少部份可和该第一陶瓷体之至少一个表面相通,并在其中,使该第一陶瓷体在一惰性气团中之昇高温度,以致该至少一金属成份具有一高蒸汽压力,因而其在藉该第二氧化反应生成物渗透移除者。图示简单说明:图1为一陶瓷体之示意图,该陶瓷体具有相连之多孔与相连之金属。图1A为沿图1中A-A线所取之放大图。图2为图1中陶瓷体之部份横断面,已经除去一大部份相连之金属。图3为一坩锅内一惰性填料层内一陶瓷体之示意图,要将该坩埚置于炉内以汽化该相连之金属图4为一陶瓷体浸于一溶剂浸析剂内之示意图以移除相连之金属。图5为一第一陶瓷体之组合物示意图,将一第二母金属置于该陶瓷体上,该组合物系置于一耐火容器内之一惰性填料层内。图6-10为将实例1及实例2所述制备之样品放大400倍之显微照片。
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