在毫微米范围内资讯单元之贮存

摘要

一种在毫微米范围内贮存资讯单元之法涉及在贵金属表面内产生杯状之坑。

主权项

l.一种在毫微米范围内资讯单元之时间稳定贮存法,其中是在贵金属表面利用表面敏感之扫描探头产生直径Inm至lm、深度小于lO0Onm之杯状坑2﹒根据申请专利范围第1项所述之时间稳定贮存法,其中该表面之变形系利用表面敏感之扫描探头施加一短暂之电场实现之。3﹒根据申请专利范围第l项所述之时间稳定贮存法,其中该表面之变形系出电场之解吸作用、点接触和失去层化作用实现之。4﹒根据申请专利范围第1项所述之时间稳定贮存法,其中该贵金属表面是一种银之镀层。5﹒一种在毫微米范围内消除资讯单元之方法,该资讯系在贵金属表面根据申请专利范围第l项所述利用表面敏感之扫描探头产生杯状坑而贮存,此法包含利用热处理逆反其变形。