| 主权项 |
1﹒一种半导体装置,包含一半导体接触层,一置于其上面而具有至少一孔之二氧化矽层,以及一位于该绝缘层上经由该孔与上述接触层成电阻接触之铂电极层;其特点为邻接该电极层之绝缘层之一边界层包含一种具有小于0﹒110nm之离子半径之金属,及与该金属形成铂之二元化合物之热函有一负数値。2﹒根据申请专利范围第1项之半导体装置,其特点为该金属系选自锂,铍,硼,镁,铝,钙,钪,钛,钒,铭,锰,铁,钴,镍,铜,锌,镓,锗,钇,锆,铌,钼,镧,铪,钽及钨所形成之一组中之金属者。3﹒根据申请专利范围第1项之半导体装置,其特点为该金属系选自钪,镧,及锆所形成之一组中之金属者。4﹒根据申请专利范围第1项之半导体装置,其特点为该装置系一种具有半导电之Ⅲ─V化合物层合结构之半导体雷射。5﹒根据申请专利范围第1项之半导体装置,其特点为该装置系一种积体之铁电体记忆器。6﹒一种将一铂层黏附于二氧化矽表面之方法,其特点为在设置该铂层之前,使二氧化矽表面与选自锂,铍,硼,镁,铝,钙,钪,钛,钒,铬,锰,铁,钴,镍,铜,锌,镓,锗,钇,锆,铌,钼,镧,铪,钽及钨所形成一组中之一金属盐之水溶液相接触,其后将该二氧化矽表面乾燥及在最大为650℃之温度下退火,以及继该铂层之设置后,将该铂层在最大为500℃之温度下退火。7﹒根据申请专利范围第6项之方法,其特点为该金属盐之金属系自钪,镧及锆所形成之一组中选出者。8﹒根据申请专利范围第6项之方法,其特点为将一复合剂加入于该金属盐溶液。9﹒根据申请专利范围第8项之方法,其特点为EDTA(乙二胺四醋酸)或其盐系用作该复合剂。10﹒根据申请专利范围第6至9项之方法,其特点为该二氧化矽表面系由一半导体装置之绝缘层形成,及该铂层形成该半导体装置之一电极层,并使该电极层与该绝缘层系互相黏附者。 |
