| 发明名称 |
Organometallic vapor-phase epitaxy process using (CH3)3As and CCl4 for improving stability of carbon-doped GaAs |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5244829(A) |
申请公布日期 |
1993.09.14 |
| 申请号 |
US19920910934 |
申请日期 |
1992.07.09 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED |
发明人 |
KIM, TAE S. |
| 分类号 |
C30B25/14;H01L21/02;H01L21/205 |
主分类号 |
C30B25/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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