| 主权项 |
1﹒一种在基体中填充介电形貌,以在该基体 上产生一平面图案表面的方法,包含步骤 提供一具有包括由介电材料界定之形 貌图案表面的基体; 在该积体表面沉积一导体层,使该层 第一部分盖住介电材料,该导体层第二部 分填充该形貌,该第一及第二部分系以该 导体层之薄侧壁部分连接; 以抗蚀剂涂敷该导体层并以与该基体 图案相似之抗蚀剂图案形成该抗蚀剂图案 ,使得由此造成之抗蚀剂图案延伸至第二 部分、侧壁部分及第一部分与该等侧壁部 分相邻的一部分上; 在由延伸于该导体层之第一部分与该 等侧壁部分相邻的一部分上的该抗蚀剂图 案来防止该导体层侧壁部分发生横向蚀刻 作用的状况下,将该导体层予以蚀刻,除 了填充该形貌之该等第二部分;及 剥掉该抗蚀剂即可产生由介电材料及 导组层第二部分所形成实质平面的图案表 面; 其中该蚀刻步骤系使用一种异向蚀刻 剂,该异向蚀刻剂与延伸覆于该等第一部 分与该等侧壁部分相邻的一部分上的该抗 蚀剂图案相配合,以防止该等侧壁部分发 生横向蚀刻作用。 2﹒根据申请专利范图第1项之方法,其中该 形貌包含四入区域、沟槽、或通道。 3﹒根据申请专利范围第1或2项之方法,另 包括在该沉积步骤之前,在该积体电路晶 圆上涂布一层黏着该导体及该基体之黏性 改善及钝化物质,并在该剥离步骤后,以 更多的该黏性改善及钝化材料涂布并形成 该平面图案表面而包围并钝化此导体层。 4﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中该 黏性改善及钝化材料包含从铬及钛组成的 群粗中所选出的构材。 5﹒根据申请专利范围第3项之方法,另包含 在涂层及形成该平面图案表面之后, 以更多的该介电材料覆盖该平面图案表面 ,使该介它材料形成度路图案形貌; 进行该等填充形貌之步骤;及 多次重复所有的该等步骤以产生多层 互接结构。 6﹒根据申请专利范围第1或2项之方法,其 中该其组包含氧化矽,该介电材料包含聚 酯亚胺,及该导体包含铜。 7﹒根据申请专利范围第1或2项之方法,其 中该形貌系以等离子体蚀刻或该介电材料 之照相平板而产生。 8﹒根据申请专利范围第1或2项之方法,其 中该导体系由溅射沉积产生。 9﹒根据申请专利范围第1或2项之方法,其 中该导体系由蒸气沉积产生。 10﹒根据申请专利范围第1或2项之方法, 其中该导组包含铜及该蚀刻系以异向铜蚀 刻剂进行。 11﹒根据申请专利范围第10之方法,其中该 异向铜蚀刻剂包含一药堤剂。 12﹒根据申请专利范围第1或2项之方法, 其中该导组包含铜及该蚀刻系以喷撒蚀刻 剂进行。 13﹒根据申请专利范围第1或2项之方法, 其中该导体层各该第二部分之厚度等于其 填充形貌的深度。 14﹒根据申请专利范围第1或2项之方法, 其中该导体材料系铝且该异向蚀刻系以电 凝蚀刻进行。 15﹒根据申请专利范围第14之方法,其中该 电浆蚀刻系为反应离子蚀刻。 16﹒根据申请专利范围第1或2项之方法, 其中该介电材料包含矽氧化物、矽氮化物 、或玻璃。 17﹒一种积体电路晶片,具有一个包含有根 据申请专利范围第1项之方法所填充之形 貌的实质平面图案表面。 18﹒ 一种多晶片模组,以申请专利范围第5 项之方法所制成。图示简单说明: 第1A一1F图系以横截面显示用以形成 具有平面图案表面之MCM 导体/介电质层 之不同步骤。 第2图为聚醯胺层中之铜导线之多个 完成层的扫描电子显微图象,其本质上为 平面。 第3图为极佳之结构平面性及导线厚 度之通道结构轮廓,完工之线/通道结构 可如下所述地接着以聚醯亚胺层予以钝化 及平面化。 第4A一4E图为本发明另一实施例,其 中以本发明方法代替先前技艺中之电镀。 第5A图为具有连接之铜导线之完工通 道孔洞,及在具有5微米厚度之管道孔洞 之聚醯亚胺层上之平面的电子显微镜图象 第5B图为显示高度平面化之第5A图之 通道之一的接近视图。 |
