Lightemitting semiconductor element.

摘要

Für ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement wird eine auf ein Silizium-Substrat aufgewachsene Schichtenfolge aus AlGaAsN vorgeschlagen. Die Emissionswellenlänge ist durch Wahl des Al-Gehalts über einen weiten Bereich einstellbar. Die Emission erfolgt im sichtbaren Spekttralbereich. Die Schichtenfolge aus III-V-Halbleitermaterial ist gitterangepaßt an das Silizium Substrat. <IMAGE>