| 主权项 |
1.一种由含矽材料来制造装置的程序,包含以下步骤:形成一层照射敏感的物质于一基底上,且将该物质曝晒于该照射下以形成一图型,以及冲洗该图型,其特征在于:该物质包含一由如下公式所代表的成份:C[ R_x S i H_y]_nC其中,C0.2 < x < 1.5C,C0.2 < y < 1.5C且R为一有机取代基,且其中该物质为非溶解性。2.如申请专利范围第1项所述之程序,其中该曝光系在存有氧气的环境下施行。3.如申请专利范围第2项所述之程序,其中该曝光包含该物质之毡式曝晒。4.如申请专利范围第1项所述之程序,其中该照射包含一电子束。5.如申请专利范围第1项所述之程序,其中该照射包含紫外线或深紫外线照射。6.如申请专利范围第1项所述之程序,其中该有机取代基包含一烷基或芳基的取代基。7.如申请专利范围第1项所述之程序,其中包括由蚀刻技术传送该图型至该基底之步骤。8.如申请专利范围第7项所述之程序,其中该蚀刻包括一以电浆为基底的蚀刻。9.如申请专利范围第8项所述之程序,其中该电浆可被引用于该冲洗与该蚀刻两方面。10.如申请专利范围第1项所述之程序,其中该形成与该冲洗可于不须使该基底遭致周遭环境的情况下施行。11.一种由含矽材料来制造装置的程序,包含以下步骤:形成一层照射敏感的材料于一基底上,将该物质曝晒于该照射下以形成一图型,且冲洗该图型,其特征在于:该物质是由一前身材料中的放电所形成而使得该材料包含一由分式C[ R_x S i H_y ]_nC所代表的成份,其中C0.2 < x< 1.5C,C0.2 < y < 1.5C且R为一有机取代基。12.如申请专利范围第11项所述之程序,其中该曝晒系于存有氧气的环境下施行。13.如申请专利范围第12项所述之程序,其中该曝晒包含该物质之毡式曝晒。14.如申请专利范围第11项所述之程序,其中该照射包含紫光线与深浅外光。15.如申请专利范围第11项所述之程序,其中该有机取代基包含一烷基或一芳基取代基。16.如申请专利范围第11项所述之程序,其包括以蚀刻技术传送该图型至该基底的步骤。17.如申请专利范围第16项所述之程序,其中该蚀刻包括一以电浆为基底的蚀刻。18.如申请专利范围第17项所述之程序,其中该电浆可被引用于该冲洗与该蚀刻两者。19.一种由含矽材料来制造装置的程序,包含以下步骤:形成一层照射敏感物质于一基底上,曝晒该物质于该照射下以形成一图型,以及冲洗该图型,其特征在于该物质是由在一包含一由分子式RSiHC_3C所代表的成份之前身材料中的放电所形成,其中R为一有机取代基。20.如申请专利范围第19项所述之程序,其中该有机取代基包括一烷基或芳基的取代基。21.如申请专利范围第19项所述之程序,其中该形成与该冲洗可于不须使用该基底遭致周围环境。第1图与第2 |
