| 主权项 |
1.一种具有平坦细胞元之光罩型ROM之制程,系包括:在第一导电型矽半导体基底上经热氧化成长一第一闸氧化层,再沈积一含高浓度杂质掺杂之第一复晶矽,及经第一复晶矽光罩曝光,显影及蚀刻后形成选择电晶体之字线;接着,进行一埋层元线光罩及第二导电型杂质离子植入以形成埋层位元线及选择电晶体之源/汲极;之后,光阻去除,及蚀刻第一闸氧化层并再经热氧化成长第二闸氧化层;再沈积一含高浓度杂质掺离之第二复晶矽,及经第二复晶矽光罩曝光,显影及蚀刻后形成记忆细胞元之字线。2.依申请专利范围第1项所述之一种具有平坦细胞元之光罩型ROM之制程,其中该埋层位元线光罩设计系每二埋层位元线于其端口处相连,且在端口处于后续制程中形成有金属接触和金属线相接。3.依申请专利范围第1项所述之一种具有平坦细胞元之光罩型ROM之制程,其中成长第二闸氧化层之同时于第一复晶矽(即选择电晶体之字线)周缘会形成复晶氧化层可做为后续之复晶矽蚀刻之遮罩。4.依申请专利范围第1项所述之一种具有平坦细胞元之光罩型ROM之制程,其中第一复晶矽除了可做为选择电晶体之字线外亦可做为周边类比或逻辑线路之闸极,且经埋层位元线光罩后之离子植入可形成该周边线路之源/汲极。图1为具有选择电晶体及平坦细胞元之光罩型ROM之布局图。图2为图1之选择电晶体字线与埋层位元线形成对准偏差之布局图。图3为依据本发明之光罩型ROM之布局图。图4A-4C为依据图3之各主要制程之上视图。图5A-5C |
