发明名称 |
INTEGRATED CIRCUIT CONTAINING BI-POLAR AND CMOS TRANSISTORS ON A COMMON SUBSTRATE AND METHOD FOR THE MANUFACTURE THEREOF |
摘要 |
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申请公布号 |
KR950006984(B1) |
申请公布日期 |
1995.06.26 |
申请号 |
KR19870007128 |
申请日期 |
1987.07.04 |
申请人 |
SIEMENS AG. |
发明人 |
WINNERL, JOSEF;NEPPL, FRANZ |
分类号 |
H01L27/092;H01L21/225;H01L21/28;H01L21/331;H01L21/8238;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/73;H01L29/732;H01L29/78;(IPC1-7):H01L27/06 |
主分类号 |
H01L27/092 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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