发明名称 | 防止液态绝缘夹层水分渗出制法 | ||
摘要 | 本发明系关于一种防止液态绝缘夹层水分渗出制法,尤指一种针对半导体上方提供平坦化作用之液态绝缘夹层所有之吸水性,使挖开孔道后,造成该液态绝缘夹层水份渗出而与后续溅镀金属产生化学反应形成绝缘层或因破坏真空度造成金属溅镀不良,导致接线阻抗昇高及导电性不良之现象下,即在于改进该等液态绝缘夹层水份渗出之缺点,而在制造中进行挖开孔道后,进行一次氧化层或氮化矽层或类似绝缘层之沈积及进行回蚀刻,转变为附着在通道侧壁之绝缘侧壁层,藉此绝缘侧壁层覆盖住该液态绝缘夹层之端面位置,据以提供其与后续溅镀金属之良好隔离,以克服前述导电性不良问题者。 | ||
申请公布号 | TW258823 | 申请公布日期 | 1995.10.01 |
申请号 | TW083101238 | 申请日期 | 1994.02.16 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吴宗贤;徐震球;杨明宗;简山杰 |
分类号 | H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/31 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹科学工业园区工业东三路三号 |