| 主权项 |
1.一种用以在一列薄膜元件上形成部份切口的方法,包含有下列步骤:在一个具有第一和第二平坦表面的既定厚度晶圆上,该第一平坦表面上具有多个以列及行之矩阵形式沉积在其上的多个装置,在该第一平坦表面上形成第一组多道具有既定深度的槽缝,其每一槽缝均系邻接于该等装置的行之一者旁;以及将该等装置的列自该晶圆上切割下来,其每一列上均包括有多个装置元件,可在施用小的折断力量至其旁之槽缝上而自该列上分离开。2. 根据申请专利范围第1项之方法,其中在进行列切割之前先在第二平坦表面上形成具有既定深度的第二组多道槽缝,其每一槽缝均系大致上对齐于第一平坦表面上之一对应槽缝,且每一对大致上相对齐之槽缝对的总合深度系小于该晶圆之厚度。3. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该等槽缝系以研磨方法形成的。4. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该等槽缝系以离子铣制方法形成的。5. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该等槽缝系以超音波加工方法形成的。6. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该等槽缝系以雷射切割方法形成的。7. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该等槽缝系以反应式离子蚀刻方法形成的。8. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该等装置元件进一步包含有多个滑件。9. 根据申请专利范围第8项之方法,其中每一薄膜滑件均包含有至少一个转换器元件。10. 根据申请专利范围第9项之方法,其中该转换器元件包含有一个磁性记录头。11. 一种用以在一列薄膜元件上形成部份切口的方法,包含有下列步骤:切割一个具有既定厚度的晶圆,该晶圆具有第一和第二平坦表面,以及多个以列及行之矩阵形式沉积在第一表面上的装置;以及在该列上的该等装置之间形成多个部份切口,以界定出多个装置元件,其中其每一装置元件均可在施用小的折断力量至其旁之部份切口上而自该列上分离开。12. 根据申请专利范围第11项之方法,其中该列具有一个其上沉积有多个装置的前侧表面、一背侧表面、沿着该列之长度延伸的上方及下方表面、以及第一及第二末端表面,且其中该等部份切口系藉着在该上方表面形成自前侧表面延伸至背侧表面上之具有既定深度的多道沟槽而形成的,该等装置元件系沿着该下方表面而维持连接在一起。13. 根据申请专利范围第12项之方法,其中在该下方表面上形成有多道沟槽,其每一沟槽均系大致上对齐于该上方表面上之一沟槽,并系自前侧表面延伸至背侧表面,而该等装置元件系沿着各对大致上对齐的沟槽之间而连接在一起。14. 根据申请专利范围第12项之方法,其中该等构槽是使用推拔状研磨片而形成的。15. 根据申请专利范围第11项之方法,其中每一列均具有一个其上沉积有多个装置的前侧表面、一背侧表面、沿着该列之长度延伸的上方及下方表面、以及第一及第二末端表面,且其中该等部份切口系藉着在该列上的该等装置元件之间切割出多个自该前侧表面朝向背侧表面延伸一段既定距离的凹口而形成的,而该等装置元件系沿着该背侧表面而维持连接在一起。16. 根据申请专利范围第11项之方法,其中每一列均具有一个其上沉积有多个装置的前侧表面、一背侧表面、沿着该列之长度延伸的上方及下方表面、以及第一及第二末端表面,且其中该等部份切口系由下列步骤所形成的:在该列上切割出自该前侧表面朝向该背侧表面延伸的第一组多个凹口;在该列上切割出自该背侧表面朝向该等自前侧表面延伸出之凹口中相关者而延伸出的第二组多个凹口,而该等装置元件则系沿着各对前侧及背侧凹口之间而连接在一起。17. 根据申请专利范围第11项之方法,其中每一列均具有一个其上沉积有多个装置的前侧表面、一背侧表面、沿着该列之长度延伸的上方及下方表面、以及第一及第二末端表面,且其中该等部份切口系藉着在该上方表面上形成多道自该前侧表面延伸至背侧表面而其深度是自前侧表面变化至背侧表面的切口而形成的,该等装置元件系沿着该下方表面而维持连接在一起。18. 根据申请专利范围第17项之方法,其中每一切口的深度均系自该前侧表面处开始自一既定之距离逐渐地减小,然后再朝向该背侧表面逐渐地增加。19. 一种制造薄膜磁性头的方法,包含有下列步骤:在一个具有第一和第二平坦表面的既定厚度晶圆上,在该第一平坦表面上以列及行之矩阵形式沉积出多个磁性头;在该第一平坦表面上形成第一组多道具有既定深度的槽缝,其每一槽缝均系邻接于该等磁性头的行之一者旁;以及将该等磁性头的列自该晶圆上切割下来,其每一列上均包括有多个滑件,可在施用小的折断力量至其旁之槽缝上而自该列上分离开。20. 根据申请专利范围第19项之方法,其中在进行列切割之前先在第二平坦表面上形成具有既定深度的第二组多道槽缝,其每一槽缝均系大致上对齐于第一平坦表面上之一对应槽缝,且每一对大致上相对齐之槽缝对的总合深度系小于该晶圆之厚度。21. 一种制造薄膜磁性头的方法,包含有下列步骤:在一个具有第一和第二平坦表面的既定厚度晶圆上,在该第一平坦表面上以列及行之矩阵形式沉积出多个磁性头;自该晶圆上切割出一列磁性头;在该列上的该等装置之间形成部份切口,以界定出多个滑件,其中其每一滑件均可在施用小的折断力量至其旁之部份切口上而自该列上分离开。22. 根据申请专利范围第21项之方法,其中该列具有一个其上沉积有多个磁性头的前侧表面、一背侧表面、沿着该列之长度延伸的上方及下方表面、以及第一及第二末端表面,且其中该等部份切口系藉着在该上方表面形成自前侧表面延伸至背侧表面上之具有既定深度的多道沟槽而形成的,该等滑件系沿着该下方表面而维持连接在一起。23. 根据申请专利范围第22项之方法,其中在该下方表面上形成有多道沟槽,其每一沟槽均系大致上对齐于该上方表面上之一沟槽,并系自前侧表面延伸至背侧表面,而该等滑件则系沿着各对大致上对齐的沟槽之间而连接在一起。24. 根据申请专利范围第22项之方法,其中该等沟槽是使用推拔状研磨片而形成的。25. 根据申请专利范围第21项之方法,其中每一列均具有一个其上沉积有多个磁性头的前侧表面、一背侧表面、沿着该列之长度延伸的上方及下方表面、以及第一及第二末端表面,且其中该等部份切口系藉着在该列上的该等装置元件之间切割出多个自该前侧表面朝向背侧表面延伸一段既定距离的凹口而形成的,而该等装置元件系沿着该背侧表面而维持连接在一起。26. 根据申请专利范围第21项之方法,其中每一列均具有一个其上沉积有多个装置的前侧表面、一背侧表面、沿着该列之长度延伸的上方及下方表面、以及第一及第二末端表面,且其中该等部份切口系由下列步骤所形成的:在该列上切割出自该前侧表面朝向该背侧表面延伸的第一组多个凹口;在该列上切割出自该背侧表面朝向该等自前侧表面延伸出之凹口中对应者而延伸出的第二组多个凹口,而该等滑件则系沿着各对前侧及背侧凹口间而连接在一起。27. 根据申请专利范围第21项之方法,其中每一列均具有一个其上沉积有多个磁性头的前侧表面、一背侧表面、沿着该列之长度延伸的上方及下方表面、以及第一及第二末端表面,且其中该等部份切口系藉着在该上方表面上形成多道自该前侧表面延伸至背侧表面而其深度是自前侧表面变化至背侧表面的切口而形成的,该等滑件系沿着该下方表面的一部份维持连接在一起。28. 根据申请专利范围第27项之方法,其中每一切口的深度均系自该前侧表面处开始自一既定之距离逐渐地减小,然后再朝向该背侧表面逐渐地增加。29. 一列依据具有下列步骤之方法而形成的薄膜元件:在一个具有第一和第二平坦表面的既定厚度晶圆上,在该第一平坦表面上以列及行之矩阵形式沉积出多个装置;在该第一平坦表面上形成第一组多道具有既定深度的槽缝,其每一槽缝均系邻接着该等装置的行之一者旁而设置的;以及将该等装置的列自该晶圆上切割下来,其每一列上均包含有多个装置元件,可在施用小的折断力量至其旁之槽缝上而自该列上分离开。30. 根据申请专利范围第29项之方法,其中在进行列切割之前先在第二平坦表面上形成具有既定深度的第二组多道槽缝,其每一槽缝均系大致上对齐于第一平坦表面上之一对应槽缝,且每一对大致上相对齐之槽缝对的总合深度系小于该晶圆之厚度。31. 根据申请专利范围第29项之方法,其中该等装置包含有磁性转换器,且其中该等装置元件包含有滑件。32. 一列依据具有下列步骤之方法而形成的薄膜元件:在一个具有第一和第二平坦表面的既定厚度晶圆上,在该第一平坦表面上以列及行之矩阵形式沉积出多个装置;自该晶圆上切割出一列该等装置;在该列上的该等装置之间形成部份切口,以便界定出多个装置元件,且其中其每一装置元件均可在施用小的折断力量至其旁之部份切口上而自该列上分离开。33. 根据申请专利范围第32项之方法,其中该列具有一个其上沉积有多个装置的前侧表面、一背侧表面、沿着该列之长度延伸的上方及下方表面、以及第一及第二末端表面,且其中该等部份切口系藉着在该上方表面形成多道自前侧表面延伸至背侧表面而具有既定深度的沟槽而形成的,该等装置元件系沿着该下方表面而维持连接在一起。34. 根据申请专利范围第33项之方法,其中在该下方表面上形成有多道沟槽,其每一沟槽均系大致上对齐于该上方表面上之一沟槽,并系自前侧表面延伸至背侧表面,而该等装置元件系沿着各对大致上对齐的沟槽之间而连接在一起。35. 根据申请专利范围第33项之方法,其中该等沟槽是使用推拔状研磨片而形成的。36. 根据申请专利范围第32项之方法,其中每一列均具有一个其上沉积有多个装置的前侧表面、一背侧表面、沿着该列之长度延伸的上方及下方表面、以及第一及第二末端表面,且其中该等部份切口系藉着在该列上的该等装置元件之间切割出多个自该前侧表面朝向背侧表面延伸一段既定距离的凹口而形成的,而该等装置元件系沿着该背侧表面而维持连接在一起。37. 根据申请专利范围第32项之方法,其中每一列均具有一个其上沉积有多个装置的前侧表面、一背侧表面、沿着该列之长度延伸的上方及下方表面、以及第一及第二末端表面,且其中该等部份切口系由下列步骤所形成的:在该列上切割出自该前侧表面朝向该背侧表面延伸的第一组多个凹口;在该列上切割出自该背侧表面朝向该等自前侧表面延伸出之凹口中对应者而延伸出的第二组多个凹口,而该等装置元件则系沿着各对前侧及背侧凹口之间而连接在一起。38. 根据申请专利范围第32项之方法,其中每一列均具有一个其上沉积有多个装置的前侧表面、一背侧表面、沿着该列之长度延伸的上方及下方表面、以及第一及第二末端表面,且其中该等部份切口系藉着在该上方表面上形成多道自该前侧表面延伸至背侧表面而其深度是自前侧表面变化至背侧表面的切口而形成的,该等装置元件系沿着该下方表面的一部份维持连接在一起。39. 根据申请专利范围第38项之方法,其中每一切口的深度均系自该前侧表面处开始自一既定之距离逐渐地减小,然后再朝向该背侧表面逐渐地增加。40. 根据申请专利范围第32项之列,其中该等装置包含有磁性转换器,且其中等装置元件包含有滑件。图示简单说明:图1(a)是一个典型的前处理过之晶圆的外观图,其上沉积出一个磁性转换器元件的矩阵。图1(b)是图1(a)中之晶圆上的滑件之一者的放大图,其上具有一磁性转换器元件。图2是一列自图1(a)之晶圆上切割下来的滑件的外观图,图2(a)显示以已知方法自晶圆上切割而得之一列滑件单元列,图2(b)显示利用习用的蚀刻及铣制技术而于一列滑件上形成三条轨条式配置。图3(a)至(c)分别是一元件沉积完成后之前处理过晶圆的外观图、同一晶圆在三边切除后之外观图和同一晶圆在列切割后的外观图。图4(a)是图3(c)之晶圆在依据本发明晶圆加工方法切割出槽缝后的外观图。图4(b)是图4(a)之晶圆的放大末端外观图。图5(a)是一列具有依据本发明晶圆加工方法所形成之部份切口的滑件的外观图。图5(b)是图5(a)中该列滑件在轨条成形后的外观图。图6是一列具有依据本发明另一种晶圆加工方法所形成之部份切口的滑件的外观图。图7(a)是一个自晶圆上切割下来之滑件列在尚未依据本发明之较佳的列加工方法去加工出部份切口前的外观图。图7(b)是一列具有依据本发明之较佳列加工方法所形成之部份切口的滑件的外观图。图8.9和10分别是一列具有依据本发明另外的列加工方法 |
