| 主权项 |
1. 一种矽电容器之制造方法,包含下列步骤:-其中在一n型掺杂矽酸玻璃基体(1)之主表面(11)中,以电化学蚀刻来产生多数孔洞(2);-其中沿着该孔洞(2)之表面上,产生提供电气活性掺杂质之导电区(40);-其中在该孔洞(2)之表面上,产生一锗掺杂层(3),该导电区(40)以该锗掺杂层来掺杂锗(4);-其中一介电层(6)及一导电层(7)施加到该导电区(40)之表面;及-其中该导电层(7)及导电区(40)各提供一接触区(8.9)。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中该导电区(10)以该锗掺杂层(3)之外扩散来掺杂锗(4)。3. 如申请专利范围第2项之方法,其中该锗掺杂层(3)利用含气体Ge(OCH@ss3)@ss4及Si(OC@ss2H@ss5)@ss4之加工过程,在大气压力CVD沈积法来沈积。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中磊晶法期间,在原位置添加含锗化合物来掺杂锗之矽层(3'),以磊晶法而形成在该孔洞(2')之表面上。5. 如申请专利范围第4项之方法,-其中在该锗掺杂矽层(3')上以磊晶法成长一进一步之未掺杂矽层(4');-其中该导电区(40')形成在该锗掺杂矽层(3')中、在该未掺杂矽层(4')中、及该孔洞之邻接表面(5')中。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该电气活性掺杂质以外扩散自一掺杂该电气活性掺杂质之层(5)来导入到该导电区(40)内。7. 如申请专利范围第1项之方法,其中该导电区提供掺杂质浓度,磷在5.10@su1@su9cm@su-@su3及8.10@su2@su0cm@su-@su3之间及锗在5.10@su1@su9cm@su-@su3及5.10@su2@su1cm@su-@su3之间、或硼在3.10@su1@su9cm@su-@su3及3.10@su2@su0cm@su-@su3之间及锗在5.10@su1@su9cm@su-@su3及5.10@su2@su1cm@su-@su3之间。8. 如申请专利范围第1至7项中任一项之方法,-其中用于形成该孔洞(2)之电化学蚀刻,在接触该主表面(11)之含氟化物酸性电解液中实施,而且,使得该矽基体(1)连接做为阳极,而在该电解液及该矽基体(1)间施加一电压;-其中在该电化学蚀刻期间,照射位置在相对该主表面(11)之该矽基体(1)背面(12)。9. 如申请专利范围第8项之方法,其中该孔洞产生具有0.5m至10m间范围之直径、及在50m至300m间范围之深度;该孔洞(2)具有在30至300间范围之宽深比。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该介电层是以SiO@ss2及Si@ss3N@ss4结合成为一具有SiO@ss2/Si@ss3N@ss4/SiO@ss2层顺序之多数层来形成。11. 如申请专利范围第1项之方法,其中该导电层(7)以掺杂多矽晶之气相沈积法来形成。图示简单说明:图1表示具孔洞之矽基体;图2表示导入锗掺杂质层及外扩散锗后之矽基体;图3表示施加电气活性掺杂质之层及外扩散该掺杂质的矽基体;图4表示介电层及导电层之沈积、及对导电区及导电区形成接触后的矽基体;图5表示具表面成长锗掺杂矽层之孔洞的矽基体;图6表示在成长进一步未掺杂矽层及导入电气活性掺杂质来形成导电区后之矽基体; |
