| 主权项 |
1. 一种薄膜电晶体(TFT)阵列基板,为具备由形成在透明绝缘基板上之金属薄膜所形成的兼为闸极之闸极配线,在该闸极配线上经介闸极绝缘膜所设的半导体层,与该半导体层一起构成半导体元件的兼为源极之源极配线及汲极,由设于上述半导体元件附近之透明导电膜形成的画素电极,以与上述闸极配线相同的金属材料重跨于邻接的二画素配置之第1金属模图,以及在上述第1金属模图上中介以上述闸极绝缘膜配置之与源极配线及汲极相同的金属材料之第2金属模图,而由照射雷射光于上述第1金属模图与上述第2金属模图将其熔融连接以连接邻接之两个画素电极间而实行缺陷画素之修复为其特征者。2. 如申请专利范围第1项记载的薄膜电晶体阵列基板,其中前述闸极配线及第1金属模图系以铬,钽或钛等之金属形成为其特征者。3. 如申请专利范围第1项记载的薄膜电晶体阵列基板,其中前述第2金属模图系以铝,铬或钼等之金属形成为其特征者。4. 如申请专利范围第1项记载的薄膜电晶体阵列基板,其中前述第2金属模图系以接于画素电极之上或下形成为其特征者。5. 一种薄膜电晶体阵列基板之制造方法,包括下列之制程:于透明绝缘基板上以喷镀法等形成铬,钽或钛等的金属薄膜,然后以照像蚀刻法等的方法形成模图以形成闸极,闸极配线及重跨邻接之二画素的第1金属模图之制程以电浆CVD(化学气相淀积)法等依次形成闸极绝缘膜,半导体层及电阻性接触层,然后将其形成模图的制程;以喷镀法等的方法形成透明导电膜,然后形成模图以形成画素电极的制程;以喷镀法等形成铝,铬或钼等的金属薄膜,然后形成模图以形成源极与源极配线,汲极,及于上述第1金属模图上至少为介以上述闸极绝缘膜形成第2金属模图的制程;以及于认出缺陷的画素时,以雷射照射将该画素的讯号电路切离,然后将上述第1金属模图与上述第2金属模图熔融以连接邻接的两个画素电极间而实行对缺陷画素修复之制程;为其特征者。6. 一种薄膜电晶体阵列基板,为具备由形成在透明绝缘基板上之金属薄膜所形成的兼为闸极之闸极配线,在该闸极配线上中介闸极绝缘膜所设的半导体层,与该半导体层一起构成半导体元件的兼为源极之源极配线及汲极,由设于上述半导体元件附近之透明导电膜形成的画素电极,由形成在上述透明绝缘基板上之金属薄膜形成积蓄电容电极,设于该积蓄电容电极上的积蓄电容诱电体膜,以与上述积蓄电容电极相同的金属材料而重跨于邻接之两个画素配置的第1金属模图,以及在该第1金属模图上中介上述积蓄电容诱电体膜等之绝缘膜配置的第2金属模图,而由照射雷射光于上述第1金属模图与上述第2金属模图将其熔融连接以连接邻接之两个画素电极间而实行缺陷画素之修复为其特征者。7. 如申请专利范围第6项记载的薄膜电晶体阵列基板,其中前述闸极配线及第1金属模图系以铬,钽或钛等之金属形成为其特征者。8. 如申请专利范围第6项记载的薄膜电晶体阵列基板,其中前述第2金属模图以铬,钽或钛等之金属形成为其特征者。9. 如申请专利范围第6项记载的薄膜电晶体阵列基板,其中前述第2金属模图以与闸极配线相同的金属材料形成为其特征者。10. 如申请专利范围第6项记载的薄膜电晶体阵列基板,其中前述第2金属模图以接于画素电极之上或下形成为其特征者。11. 一种液晶显示装置,以申请专利范围第1项至第4项,第6项至第10项之任一项记载的薄膜电晶体阵列基板与具有透明电极与色过滤器之对向电极基板间配置液晶为其特征者。12. 一种薄膜电晶体阵列基板之制造方法,包括下列之制程:于透明绝缘基板上以喷镀法等形成铬,钽或钛等的金属薄膜,然后以照像蚀刻法等的方法形成模图以形成积蓄电容电极及重跨邻接之二画素的第1金属模图之制程;以电浆CVD(化学气相淀积)法等形成SiN,SiO@ss2等的薄膜,然后将其形成模图以形成积蓄电容电介质膜的制程;以喷镀法等形成铬,钽或钛等的金属薄膜,然后将其以照像蚀刻法等的方法形成模图以形成闸极与闸极配线,及于上述第1金属模图上至少中介上述积蓄电容介质膜形成第2金属模图的制程;以喷镀等的方法形成透明导电膜,由形成模图以形成画素电极的制程;以电浆CVD法等依次形成闸极绝缘膜,半导体层及电阻性接触层,然后将其形成模图的制程;以喷镀法等形成铝,铬等的金属薄膜,然后由形成模图以形成源极与源极配线及汲极的制程;以及于认出缺陷的画素时,以雷射照射将该画素的讯号电路切离,然后将上述第1金属模图与上述第2金属模图熔融以连接邻接的两个画素电极间而实行对缺陷画素修复之制程;为其特征者。13. 一种液晶显示装置,为以包含金属薄膜形成的闸极与闸极配线,闸极绝缘膜,半导体层,电阻性接触层,源极与源极配线及汲极的薄膜电晶体,以及由透明导电膜形成的画素电极为设于透明绝缘基板上的薄膜电晶体阵列基板,以其与具有透明电极及色过滤器之对向电极基板之间挟持液晶的液晶显示装置,而以形成重跨于邻接的画素电极并为由金属薄膜形成的桥部,以及中介前述闸极绝缘膜于前述桥部下层的对应位置,并为于前述画素电极之上层或下层的位置形成金属薄膜之岛部,为其特征者。14.如申请专利范围第13项记载的液晶显示装置,其中前述岛部以高融点金属形成为其特征者。15. 如申请专利范围第14项记载的液晶显示装置,其中前述高融点金属系以铬,钽,钛,钨,钼或铝中之任一种为其特征者。16. 如申请专利范围第13,14或第15项记载的液晶显示装置,其中前述岛部以接于画素电极为其特征者。17.如申请专利范围第13项记载的液晶显示装置的制造方法,其中于前述闸极与闸极配线形成之同时,以同一金属材料形成前述岛部为其特征者。18. 一种液晶显示装置的修复方法,系于申请专利范围第13项记载的液晶显示装置,其中将含有点缺陷之画素电极与该画素电极邻接之二个画素电极中将任一画素电极与另一为同电位以修复前述含有点缺陷之画素电极,为其特征者。19. 如申请专利范围第18项记载的液晶显示装置的修复方法,其中将重跨于含有点缺陷的画素电极与邻接于该画素电极之二画素电极中任一之画素电极的桥部,与对应于该桥部之岛部短路使其成为同电位为其特征者。20.如申请专利范围第19项记载的液晶显示装置的修复方法,其中前述桥部与对应于该桥部的岛部之间的闸极绝缘膜为用雷射光将其熔融而予以短路为其特征者。图示简单说明:图1表示本发明实施例1之用于液晶显示装置的TFT阵列之部分平面图。图2表示图1之A-A断面图。图3表示图1之B-B断面图。图4表示本发明实施例2之用于液晶显示装置的TFT阵列之部分断面图。图5表示本发明实施例3之用于液晶显示装置的TFT阵列之部分平面图。图6表示图5之A-A断面图。图7表示图5之B-B断面图。图8表示本发明实施例4之用于液晶显示装置的TFT阵列之部分断面图。图9表示本发明实施例5之用于显示装置的TFT阵列之部分平面图。图10表示图9之A-A断面图。图11表示图9之B-B断面图。图12表示本发明实施例6之用于显示装置的TFT阵列之断面图。图13表示本发明实施例7之用于显示装置的TFT阵列之部分平面图。图14表示图13之A-A断面图。图15表示图13之B-B断面图。图16表示本发明实施例8之用于显示装置之TFT阵列的断面图。图17表示本发明实施例9之用于液晶显示装置的TFT阵列之部分平面图。图18表示图17之A-A断面图。图19表示图17之B-B断面图。图20表示本发明实施例10之用于液晶显示装置的TFT阵列之部分断面图。图21表示本发明实施例11之用于液晶显示装置的TFT阵列之部分平面图。图22表示图21之A-A断面图。图23表示图21之B-B断面图。图24表示本发明实施例12之用于液晶显示装置的TFT阵列之部分断面图。图25表示习用之用于液晶显示装置的TFT阵列之部分平面图。图26表示图25之A-A断面图。图27表示习用之用于液晶显示装置的TFT阵列的部分平面图。图28表示图27之B-B断面图。图29表示习用之用于液晶显示装置的TFT阵列之部分平面图。 |
