| 主权项 |
1.一种以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法,适用于表面分成至少一图型的受测物,而上述以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法包括下列步骤:对上述图型取得至少二不同聚焦平面的影像,且设定上述图型之不同聚焦平面之影像的灰度比对临限値;以及比对上述图型之不同聚焦平面的影像与上述灰度比对临限値,以施行缺陷的侦测及分类。2.如申请专利范围第1项所述的以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法,其中上述受测物表面之不同位置分成复数上述图型。3.如申请专利范围第1或2项所述的以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法,其中上述灰度比对临限値系上述图型之不同聚焦平面之影像相对于参考图型之相对应之不同聚焦平面之影像的灰度比对临限値。4.如申请专利范围第3项所述的以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法,其中上述参考图型为上述图型中之相邻的图型。5.如申请专利范围第4项所述的以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法,其中以取像装置放置于上述不同聚焦平面来取得上述影像。6.如申请专利范围第5项所述的以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法,其中上述取像装置为电荷耦合元件。7.如申请专利范围第6项所述的以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法,其中上述受测物为晶圆。8.一种以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法,适用于表面的不同位置分成复数图型的受测物,而上述以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法包括下列步骤:对上述图型中的每一者各取得至少二不同聚焦平面的影像,且设定上述图型中之每一者之不同聚焦平面之影像相对于参考图型之相对应之不同聚焦平面之影像的灰度比对临限値;以及藉由上述灰度比对临限値来比对上述图型中每一者之不同聚焦平面的影像与上述参考图型之相对应之不同聚焦平面的影像,以施行缺陷的侦测及分类。9.如申请专利范围第8项所述的以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法,其中上述参考图型为上述图型中之相邻的图型。10.如申请专利范围第8或9项所述的以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法,其中以取像装置放置于上述不同聚焦平面来取得上述影像。11.如申请专利范围第10项所述的以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法,其中上述取像装置为电荷耦合元件。12.如申请专利范围第11项所述的以不同聚焦平面之影像比对来作缺陷的侦测及分类方法,其中上述受测物为晶圆。图示简单说明:第一图系显示以影像比对来做缺陷侦测及分类之装置的示意图;第二A图系显示习知之仅以一聚焦平面来对受测物之表面之不同位置之图型取像的示意图;第二B图系显示对应于第二A图之图型所取得之影像比对图;第三A图系显示本发明之以不同聚焦平面来对受测物之表面之不同位置之图型取像的示意图;以及第三B图系显示对应于第三A图之图型所取得之影像比对图。 |
