发明名称 包括有在以黏带覆盖半导体晶圆时将半导体晶圆切成晶粒之步骤的半导体元件制法
摘要 一种生产半导体元件的方法,其包括多个步骤,该等步骤系为:配置一黏带于一晶圆上使该黏带的附着面朝向该晶圆的顶图;配置一个可挠的推进组件于黏带上方,其系在此可挠推进组件因重力产生形变使得可挠推进组件朝该黏带产生向下方凸出的状态;相对于该黏带移动该可挠推进组件与该黏带接合,如此该黏带产生与可挠推进组件一致的变形且黏带对着晶圆产生向下方的凸出;以及使该变形的黏带接触于该晶圆的顶面之上。
申请公布号 TW311264 申请公布日期 1997.07.21
申请号 TW085114656 申请日期 1996.11.27
申请人 富士通股份有限公司 发明人 村本孝纪;赤谷秀则;林田明久;远山佳宏
分类号 H01L21/78 主分类号 H01L21/78
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼;恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种生产半导体元件的方法,其包含几个步骤:配置一黏带于一晶圆上使该黏带之附着面向该晶圆的顶面;配置一可挠的推进组件于该黏带上,该可挠的推进组件因重力产生变形,使该可挠推进组件以向下对着该黏带的方向产生凸出;相对于该黏带移动该可挠的推进组件而与该黏带接合,如此该黏带产生与该可挠的推进组件一致的变形,该黏带因而朝该晶圆向下凸出;以及使该变形的黏带与该晶圆的顶面接触。2.如申请专利范围第1项之方法,其中使该变形的黏带接触到该晶圆的该顶面上之该步骤系为,使该变形的黏带的一底部与该晶圆之该顶部在该顶部的中心部份接触,而且接触面积从该晶圆的该中心部份向边缘部份径向地增加。3.如申请专利范围第1项之方法,使该变形的黏带接触到该晶圆的该顶面上之该步骤包括相对于黏带升起该晶圆使该晶圆与该向下凸出之黏带的底面在该晶圆的该顶部之中心部份接合的一步骤,持续该晶圆的该升起步骤使该弹性推进组件,经由该介于其中的黏带,与该晶圆的该顶面产生一致变形。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该可挠的推进组件系为一可挠的薄膜。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该可挠的薄膜具有导致该黏带变形的一重量。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该可挠的推进组件包括多层的可挠薄膜。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该可挠的推进组件包含一可挠的薄膜及一设于其上的砝码。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该可挠的推进组件包括一个具有弹性的薄膜。9.如申请专利范围第1项之方法,其更包含在该晶圆覆有该黏带的情况下,在相对于该顶面切割该晶圆的步骤。10.一种用于附着黏带于晶圆上的设备,包含有:一个适于托住晶圆于其上的平台;一个适于握住黏带于该平台上之该晶圆上方的黏带握臂;该平台系可相对于该黏带握臂上的该黏带向上及向下移动;在该黏带握臂上方提供一个驱动支臂可以相对于该黏带握臂上的该黏带向上及向下移动;该推进组件包括一个因重力而朝该黏带握臂上的该黏带向下凸出的可挠体;一间包围该平台,该黏带握臂及该驱动支臂的真空密闭室;以及一作为在向上及向下方向移动该平台的驱动机构,该驱动机构更造成该推进组件在向上及向下方向移动。11.如申请专利范围第10项之设备,其中该推进组件包含一可挠的薄片。12.如申请专利范围第11项之设备,其中该可挠的薄片具有足够使该黏带握臂上之该黏带产生形变的重量。13.如申请专利范围第10项之设备,其中该推进组件包含有多个互相堆叠的可挠的薄片。14.如申请专利范围第10项之设备,其中该推进组件包含一可挠薄片及一设于其上的砝码。15.如申请专利范围第10项之设备,其中该推进组件包含一个具有弹性的薄膜。图示简单说明:第一图所示为一使用于半导体元件生产之一传统的黏带附着设备的构造;第二图所示为另一传统的黏带附着设备的构造;第三图所示仍为另一传统的黏带附着设备的构造;第四图所示为依据本发明第一实施例之黏带附着设备的构造;第五图所示为第四图之黏带附着设备的整体构造;第六A至六D图为第四图设备中附着黏带过程的图示;第七图所示为第六A至六D图的黏带附着过程的图示;第八图所示为本发明第二实施例的图式;第九图所示为本发明第三实施例的图式;以及第十图所示为一应用于附有黏带的晶圆之切割过程的图式。
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